CVD管式炉
高真空CVD管式炉 1200度多路质子和浮子气体可选，可定制不同规格大小，多种气路，高真空以及低真空的CVD管式炉，以客户要求为准来定制。24小时销售专线15026959022为您服务，期待你来电询问。
CVD管式炉主要特点：
这款配置的高真空CVD系统集1200度开启式真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成，可根据用户需要设计生产（有双温区、三温区、多温区），可预抽真空（有高真空、低真空），通多种气氛（供气系统有质子流量控制器和浮子流量控制器）。真空泵、阀均采用进口设备，性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术，具有控温精度高，温冲幅度小，性能可靠，简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。
CVD管式炉技术参数：
真空管式炉：
炉管尺寸：外径Φ50、Φ60、Φ80、Φ100×1000mm
极限温度：1200 ℃ 工作温度：≤1150 ℃
温度控制器：PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器
最快升&降温速率：20℃/min
加热区：400mm恒温区：200mm
控温精度：±1 ℃电源：单相220V，交流50Hz
多通道流量计控制系统
标准量程：100，200，200，500SCCM（以氮气标定，除以上标准外量程可选）
准确度：±1.5%工作压差范围：0.1～0.5 MPa最大压力：3MPa接头类型：Φ6双卡套不锈钢接头
干湿：完全无油的干式高真空真空泵组
分子泵抽速61L/s
工作电流：220V
进气口DN63 ISO-K
极限总压5.0×10-4Pa 10-6mabr
CVD管式炉，以客户要求来定制。24小时销售专线15026959022为您服务，期待你来电询问。
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