碳化硅衬底
光电子领域
发光二极管（LED）是利用半导体中电子与空穴复合发光的一种电子元器件，是一种节能环保的冷光源。SiC材料具有与GaN晶格失配小、热导率高、器件尺寸小、抗静电能力强、可靠性高等优点是GaN系外延材料的理想衬底，由于其良好的热导率，解决了功率型GaN-LED器件的散热问题，特别适合制备大功率的半导体照明用LED，这样大大提高了出光效率，又能有效的降低能耗。
2英寸SiC晶体产品规格说明
产品
4H-SiC & 6H-SiC
等级(Grade)
Grade I
Grade II
直径(Diameter)
50.8 mm±0.38 mm
厚度(Thickness)
330/430μm±25μm or Customer Specification
主定位边方向(Primary Flat Orientation)
Perpendicular to <11-20>±5.0°
主定位边长度(Primary Flat Length)
15.88 mm±1.65 mm
次定位边方向(Secondary Flat Orientation)
90°CW from Primary flat±5.0°
次定位边长度(Secondary Flat Length)
8.0 mm±1.65 mm
正角晶片方向(On axis Wafer Orientation)
{0001}±0.25°
偏角晶片方向(Off axis Wafer Orientation)
4.0°toward <11-20>±0.5°
8.0°toward <11-20>±0.5°
边缘(Edge Exclusion)
1.0 mm
总厚度变化/弯曲度/ (TTV/Bow)
< 15μm / < 15μm
微管密度(Micropipe Density)
< 10个/cm-2
< 30个/cm-2
电阻率(Resistivity)
导电(Conductive)
0.01~0.03Ω×cm
0.01~0.1Ω×cm
半绝缘(Semi-insulating)
> 105Ω×cm
表面加工(Surface Finish)
Both Polished (Si face: Ra < 0.2 nm) or Customer Specification
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