磷化铟衬底
InP(磷化铟)单晶
规格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向为<100>、<111>,特殊晶向也可以加工。
参数：
InP单晶参数
品种
类型
浓度(n)（cm-3|）
迁移率(μ)(cm2/V.S)
电阻率(?.cm)
位错密度(EPD)(cm-2)
纯InP
N
<3*1016
>1700
----
<50000
S-InP
N
5*1017<n<5*1018
>1700
-----
<50000
Zn-InP
P
0.6*1018<n<6*1018
>50
------
<50000
Fe-InP
N
107~108
>1700
>107
<50000
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