供应SOI绝缘硅片

特博科技有限公司是英国ICEMOSTECH公司在中国的独家代理，高品质的SOI  wafer和  
SuperJunction  MOSFET是ICEMOS的主营产品，凭借15年的制造经验ICEMOS在世界范围内有着
众多的客户群体，分别在欧洲，美国，日本、韩国和中东设有代理商。


SOI  wafer尺寸:  4”(100mm）,  5”（125mm）,  6”（150mm）  and    8"（200mm）
SOI  Spec.  规格：
          1-        Bonded  SOI  wafer  (绝缘硅上键合硅片）
                                                    For  4”(100mm）,  5”（125mm）,  6”（150mm）
                                          ----  Handle  wafer  minimum  300um  maximum  1000um,  
                                          ----  Buried  Oxide,  minimum  0.1  um,  maximum  4  um,  
                                          ----  Device  layer  minimum  2  um,  max  500  um.  
                                                  
                                                    For  8"（200mm）
                                          ----  Handle  thickness  minimum  500um  and  maximum  675um,  
                                          ----  Buried  Oxide  minimum  0.1  um,  maximum  4  um,
                                          ----  Device  layer  minimum  5  um,  maximum  500  um.
  
2-              Si-Si  direct  wafer  bonding  (replacement  for  epi)  硅-硅直接键合，可替代外延片
  
            100mm,  125mm,  150mm  and  200mm,  thickness  as  specified  above.
  
3-              Engineered  SOI,  Double  SOI  (DSOI),  Trench  Isolation  SOI  (dielectric  isolation),  
            Cavity  SOI  (for  pressure  sensor,  gyro  and  accelerometer  sensor,  microfludic  etc.)
            and  finally  Through  Silicon  Via  (TSV)      
  
  ----    Cavity  SOI  -  Bonded  SOI  or  Silicon  silicon  DWB  wafers  with  cavities  performed  within  the  wafer  
  ----  Multiple  SOI  2  or  3  or  more  layers  of  SOI  designed  around  your  process  
  ----  Structured  wafers  silicon  wafers  or  SOI  with  buried  electrode  layers,  vias,  interconnect  already  incorporated  
    
          4-          SOI  +  Trench  &  Refill
    
      Features
?    Significant  die  shrink  compared  to  conventional  dielectric  isolation  
          (DI)  or  junction  isolation  
?    Bulk  quality  top  silicon  layer  
?    Total  device-to-device  isolation  
?    Lower  substrate  capacitance  than  bulk  
?    Fully  flexible  specification  on  SOI,  Trench  and  refill  parameters
5-      Superjunction  MOSFET
  
  
  
    
        为了一些客户的紧急需求，英国工厂存有部分现货，欢迎您来电咨询更详细的产品信息！