厂价供应高纯一氧化硅真空镀膜材料
高纯一氧化硅真空镀膜材料颗粒（SiO）
熔点（℃） 1705 生产方法 反应合成
蒸发温度（℃） 1200-1600 透明区域（um） 0.8-8.0
蒸发源 E.B Mo 折射率(n/d) 1.8@1.0um
1-3mm,3-5mm
纯度：99.99%
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