国内厂家生产高纯真空镀膜氧化铈颗粒
真空镀膜氧化铈颗粒 CeO2
熔点（℃） 1950 生产方法 热压
蒸发温度（℃） 2000-2200 透明区域（um） 0.4-11
蒸发源 E.B 折射率(n/d) 2.2@0.55um
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