
最优惠价格供应高纯二氧化硅颗粒真空镀膜材料
二氧化硅颗粒真空镀膜材料(SiO2)
熔点(℃) 1700 生产方法 电熔
蒸发温度(℃) 1800-2200 透明区域(um) 0.35-2
蒸发源 E.B 折射率(n/d) 1.46@0.55um
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