国产mems电容式加速度传感器厂家推荐_厂家价格

国产mems电容式加速度传感器厂家推荐

可替代Colibrys-MS9000系列国产化MEMS加速度传感器

SiA200系列是青岛智腾微电子有限公司自主研制可替代Colibrys-MS9000/MS1000系列的电容体MEMS加速度计，专为惯性应用设计。长期稳定性好，标度因数重复性，低运行偏差，振动整流误差以及低噪音等方面具备明显优势。内部集成了信号调理、模拟±2.7V输出、内置自检电路和一个温度传感器方便用户进行补偿。能够为级测量需求提供有效可靠的支撑。4934899452

1产品特点（±30g）
运行偏差稳定性：45μg
极好的长期零偏重复性：3.6mg
非线性度：±0.3%FS
严苛环境下具备极高可靠性
LCC20，气密封装

2产品应用
【航空航天】惯性测量单元IMU、航空电子、姿态控制、射系统、平台稳定系统、GPS辅助制导、无人机导航系统、机器人技术等

【海基陆基】寻北、声纳定位、ROV制导、武器射系统、船舶航海和控制、单兵手持机地图、载具定位等

【地质勘探】LWD、MWD、钻井导向、盾构机等

性能参数

参数 \| 型号	单位	SiA202	SiA205	SiA210	SiA215	SiA230	SiA250	SiA2100
量程	g	±2	±5	±10	±15	±30	±50	±100
偏值	mg	0.14	0.35	0.7	1.05	2.1	3.5	7
偏值重复性	mg	0.24	0.6	1.2	1.8	3.6	6	12
偏值稳定性	μg	3	7.5	15	22.5	45	75	150
标度因数	mV/g	1350	540	270	180	90	54	27
标度因数重复性	ppm	400
标度因数稳定性	ppm	120
失准角	mrad	10
阈值（1Hz）	μg rms	7	17	34	51	102	170	340
非线性（IEEE ）	% FS	0.3
工作温度	℃	-40～125
功耗	mW	10
尺寸	mm²	9×9

绝对最大额定值

参数	条件	单位	最小值	最大值
供电电压		V	-0.3	+3.9
任何PIN电压		V	-0.3	V_DD+0.3
操作温度		℃	-40	125
储存温度		℃	-55	125
振动	随机	g		20
冲击	单次冲击/0.2ms/6方向	g		1500
ESD 应力	HBM模式	kV	-1

典型应用参数（SiA202、SiA210）

SiA202 \| 参数	备注	单位	最小值	典型值	最大值
量程		g	±2
非线性	IEEE Norm , %全量程	%		0.3	1.0
频率响应	-3dB	Hz	200
谐振频率	过阻尼	kHz		1.4
振动整流误差	均值频率 [50Hz , 2kHz]	μg/g²		1300
噪声	频带内	μg/√Hz		7
分辨率	@1Hz	μg rms		7
启动响应时间	工作延时运动一次	μs		40
偏值（K0）温度系数	测定范围[-40℃， 85℃]	μg/℃		75
综合偏值（K0）误差	温度范围[-40℃， 85℃]	mg		0.14
标度因数（K1）温度系数	测定范围[-40℃， 85℃]	ppm/℃	20	120	220
综合标度因数（K1）	温度范围[-40℃， 85℃]	mV/g	1330	1350	1370
温度传感输出电压@20℃		V	1.20	1.23	1.26
温度传感灵敏度		mV/℃		-4.0
复位阈值电压	低电平有效	%V_DD			20
工作电压		V	3.2	3.3	3.4
工作电流		mA		2.3	4

SiA210 \| 参数	备注	单位	最小值	典型值	最大值
量程		g	±10
非线性	IEEE Norm , %全量程	%		0.3	1.0
频率响应	-3dB	Hz	200
谐振频率	过阻尼	kHz		3.7
振动整流误差	均值频率 [50Hz , 2kHz]	μg/g²		290
噪声	频带内	μg/√Hz		34
分辨率	@1Hz	μg rms		34
启动响应时间	工作延时运动一次	μs		40
偏值（K0）温度系数	测定范围[-40℃， 85℃]	μg/℃		375
综合偏值（K0）误差	温度范围[-40℃， 85℃]	mg		0.7
标度因数（K1）温度系数	测定范围[-40℃， 85℃]	ppm/℃	20	120	220
综合标度因数（K1）	温度范围[-40℃， 85℃]	mV/g	266	270	274
温度传感输出电压@20℃		V	1.20	1.23	1.26
温度传感灵敏度		mV/℃		-4.0
复位阈值电压	低电平有效	%V_DD			20
工作电压		V	3.2	3.3	3.4
工作电流		mA		2.3	4

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一、表面微机械加工

表面微机械加工是一种“添加”工艺过程。这种方法是在一个单晶片表层的一边沉析出若干由不同材料构成的薄层。对这些薄层可以有选择地蚀刻，从而在薄层上形成“隆起”结构。这些经蚀刻后的薄层，可以转变为附着在晶片衬底之上的、可动的微机械结构。

二、整体微机械加工

整体微机械加工工艺是一种“去除”加工过程。工艺方法是从晶体基底去除某种物质，以形成诸如空洞、凹槽、薄膜和一些复杂三维机构的一种加工方法。通常所加工的晶体基层为单晶硅或玻璃/石英物质。

三、混合微机械加工工艺

混合微机械加工工艺是在硅绝缘体表层上应用整体微机械加工技术，类似表层微机械加工方法而形成表层结构的一种生产工艺的定义。常用的一种具有代表意义的微机械加工过程是利用干法硅蚀刻方法形成机械结构的技术。

最后，正是因为MEMS传感器的体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高、易于集成的特点，已经在我国消费电子产品、汽车工业、甚至航空航天、机械、化工及悘等各领域应用。

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