供应无锡研磨液|无锡抛光液|无锡光亮剂
无锡研磨液|无锡抛光液|无锡光亮剂
磨液、光亮剂规格型号 适用范围
LM-10研磨液 主要适用于黑色金属、非金属、锌合金等零件表面清洗、润滑、毛刺软化
LM-12研磨液 主要适用于有色金属零件表面清洗、润滑、软化
LM-80光亮剂 主要适用于不锈钢、铝合金等金属零件的抛光
LM-88光亮剂 主要适用于黑色金属、合金钢等零件的抛光
LM-118光亮剂 主要适用于铜、锌、白铜等零件的抛光
LM-182光亮剂 主要适用于铝合金等零件的抛光
LM-18光亮剂 主要适用于铝合金、不锈钢等零件的抛光
LM-8A磨液 适用于铝铆钉行业去油抛光（专业磨液）
LM-8B磨液 适用于铝铆钉行业去油抛光（专业磨液）
FX-1脱水防锈油 主要适用于黑色金属的脱水防锈
刚球清洗剂
防铜变色剂
化学机械抛光
这两个概念主要出现在半导体加工过程中，最初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，完美性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。
依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程：
（1）抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。
无锡研磨液|无锡抛光液|无锡光亮剂
*您的姓名：
*联系手机：
固话电话：
E-mail:
所在单位：
需求数量：
*咨询内容:
尚未认证，请谨慎交易
898995850
