氮化镓(GaN)半导体晶片
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- 供 应 地:福建省厦门市
- 发布公司:厦门中芯晶研半导体有限公司
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- 发布日期:2022/9/6 16:23:44
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详细说明
厦门中芯晶研可提供2",3",4"氮化镓单晶片。
氮化镓(GaN)是二十世纪九十年代以来常用于发光二极管的二元直接带隙半导体。该化合物是—种非常坚硬的材料,具有纤锌矿晶体结构。其3.4 ev的宽带隙为光电,高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二极管成为可能的基板,而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低(与其他Ⅲ族氮化物一样),使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作,并且工作电压比砷化镓(GaAs)晶体管高得多,因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外,GaN为THz器件提供了有前景的特性。
厦门中芯晶研半导体有限公司是一家集半导体晶体生长、工艺开发和外延为一体的高新技术企业,专门研究和生产化合物半导体晶片,包括磷化铟(InP)晶片、锑化镓(GaSb)晶片、砷化镓(GaAs)晶片、砷化铟(InAs)晶片、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体材料的生长和外延,产品广泛应用于LED半导体照明和半导体功率器件包括功率器件,高温器件和光电器件。作为领先的专业公司我们致力于不断提高现有产品的质量。
公司拥有强大的技术研发团队,有研究生、博士、硕士组成,团队精进,研发实力雄厚。公司技术骨干多年从事材料制备及相关设备设计开发,对于材料的物理化学及电学性质、材料制备工艺、都有深入的研究。科技人员多年的理论沉积及实践经验的积累,使得公司对于相关材料和设备开发具有独到的见解和得天独厚的优势,同时确保公司的产品性能和设备设计方案符合用户的实际技术工艺需求。
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