碳化硅（SiC）半导体晶片
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- 供 应 地：福建省厦门市
- 发布公司：厦门中芯晶研半导体有限公司
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- 发布日期：2022/9/6 16:12:01
- 联系人QQ：974774219
详细说明
厦门中芯晶研可提供2",3",4",6"碳化硅单晶片。碳化硅晶片由纯硅和碳组成，与硅相比具有三大优势:更高的临界雪崩击穿场强、更大的导热系数和更宽的禁带。碳化硅晶片具有3电子伏特(eV)的宽禁带，可以承受比硅大8倍的电压梯度而不会发生雪崩击穿。禁带越宽，在高温下的漏电流就越小，效率也越高。而导热系数越大，电流密度就越高。SiC衬底具有更高的电场强度，因而可以使用更薄的基础结构，其厚度可能仅为硅外延层的十分之一。此外，SiC的掺杂浓度比硅高2倍，因此器件的表面电阻降低了，传导损耗也显著减少。
厦门中芯晶研半导体有限公司是一家集半导体晶体生长、工艺开发和外延为一体的高新技术企业,专门研究和生产化合物半导体晶片,包括磷化铟(InP)晶片、锑化镓(GaSb)晶片、砷化镓(GaAs)晶片、砷化铟(InAs)晶片、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体材料的生长和外延，产品广泛应用于LED半导体照明和半导体功率器件包括功率器件，高温器件和光电器件。作为领先的专业公司我们致力于不断提高现有产品的质量。
公司拥有强大的技术研发团队,有研究生、博士、硕士组成,团队精进,研发实力雄厚。公司技术骨干多年从事材料制备及相关设备设计开发,对于材料的物理化学及电学性质、材料制备工艺、都有深入的研究。科技人员多年的理论沉积及实践经验的积累,使得公司对于相关材料和设备开发具有独到的见解和得天独厚的优势,同时确保公司的产品性能和设备设计方案符合用户的实际技术工艺需求。
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