XP162A11C0PR
XP162A11C0PR一个P沟道功率MOSFET的低导通电阻和超高速开关特性。 因为高速的开关是可能的，该IC可以有效地设置，从而节省能源。
栅极保护二极管是内置的，以防止静电损坏。 小SOT-89封装，使高密度安装的可能。
XP162A11C0PR特点：
低导通电阻：Rds（上）=0.15Ω@ VGS=-10V
：的Rds（on）=0.28Ω@ VGS =-4.5V
超高速开关
驱动电压：-4.5V
门保护二极管内置
P沟道功率MOSFET
DMOS结构
小封装：SOT-89
环保性：符合欧盟RoHS标准，无铅
XP162A11C0PR满足我们对设计的要求。这些料号从设计之初就采用工程加设计人员的方式，从实际需求点出发来设计，边测试边创新的方式，既收到了实用的要求又有效的提高的市场的联动机制，彻底打破了之前设计和需求断裂的局面，让苦心设计的产品最终没有达到或者完全市场不接受的尴尬，造成市场渴望的产品没有出现而不需要的产品大量充斥市场的局面，船运到香港的周期也比之前进一步缩段，采用特殊料号特俗安排的方式，优先保证这些型号的要求，从出产品线到下船的周期也极端的减少了中间环节。
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