M5358替代CR6229
M5358可完全替代CR6229，M5358是茂捷半导体在经历了多次芯片测试之后，推出的一款AC-DC芯片，芯片稳定性与各项测试数据在整体上相较国内同类芯片已经达到较高水品，在研发初期，就结合市场需求，充分考虑各厂家与消费者的需求要求，设计出这款副边反馈内置MOS的IC，其低待机功耗,抖频功能,50KHz,各种保护功能，高性能PWM控制器,在电源表现上脱凡超俗，与其同类芯片相比性价比更高，① 内置MOS效率高② 待机空耗低 ③ 比CR6229性价比更高④ 容易过EMI，经过严格测试，更加容易在EMI等测试中通过，而在于价格上，比CR6229更是有相当的优势。
M5358参数
参数 数值
内部高压功率管漏极（启动） -0.3V ~ BVdss
芯片电源电压 -0.3V ~ 30 V
内部栅极驱动电压 -0.3V ~ 30 V
VDD钳位电流 10mA
INV输入电压 -0.3 ~ 7V
SEN输入电压 -0.3 ~ 7V
最低/最高工作结温 -20 ~ 150℃
最低/最高储存温度 -55 to 150℃
过锡炉温度（10S） 260℃
高度集成的电流模式PWM控制芯片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐应用于功率27瓦以内的各种变换器。
M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。
主要应用于5V2A，5V2.4A，9V1.5A，12V1A等方案中，为广大厂商提供免费样品测试，与DEMO板测试，必定使您达到满意的效果。
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