M8918可以完全替代BP2328A
采用 SOP-8/DIP-8 封装
M8918参数
M8918可以完全替代BP2328A，M8918是茂捷半导体设计研发的一款高PF 非隔离内置MOS的LED芯片，芯片经过各项测试，均达到LED行业要求，在与BP2328的对比上，M8918基本各项参数都有所优势，首先M8918与BP2328属于PIN对PIN，只需修改少许外围元件即可实现较稳定的性能，其次M8918的优势在与① 高PF 高效率② 启动电流低 防止回闪③ 浮地架构，长相电压检测 抗干扰能力强④恒流精度高，输出电压范围宽！M8918在BP2328的基础上也有不少的改进，在实际应用中，稳定性更高，在效率方面也提高了，可以说是加强版BP2328A，但是在价位上却有着优势，M8918目前已经得到各大厂家的青睐，我们可提供详细参数资料以及样品与EDMO版，真品质好服务，茂捷为您！
M8918 集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率 因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临 界连续模式，功率 MOS 管处于零电流开通状态，开 关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。
M8918 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少的 外围器件，即可实现优异的恒流特性.
M8918 采用专利的浮地构架，对电感电流进行全 周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优 异的线电压调整率和负载调整率。
有源功率因数校正，高 PF 值，低 THD
内置 600V 功率 MOSFET
高达 95%的系统效率
±3% LED 输出电流精度
优异的线电压调整率和负载调整率
电感电流临界连续模式
超低 (33uA) 启动电流
超低 (300uA) 工作电流
LED 短路/开路保护
电流采样电阻开路保护
逐周期电流限流
芯片供电欠压保护
自动重启功能
过热调节功能
符号 参数 参数范围 单位
VDS 内部高压 MOSFET 漏极到源极的峰值电压 -0.3~600 V
IDD_MAX VDD引脚最大钳位电流 10 mA
COMP 环路补偿点 -0.3~6 V
INV 辅助绕组的反馈端 -0.3~6 V
SEN 电流采样端 -0.3~6 V
PDMAX 功耗 0.45 W
θ JA PN 结到环境的热阻 145 ℃/W
TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃
TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃
ESD 2 KV
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