供应XP152A12C0MR
TOREX不断革新电子产品工艺，引领电子元器件的新潮，研发满足一代又一代电子产品的新产品。不仅在外形上满足不断集成度越来越高、器件越来越小的需求，同时在质量和功能上，也越来越满足从多电子厂家的期待。
XP152A12C0MR结构：
它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)
详细介绍：
RoHS：是
类别：分离式半导体产品 >> FET - 单
标准包装：1,000
系列：MESH OVERLAY?6?4
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250?0?8A
闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V
功率 - 最大：40W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商设备封装：TO-220FP
包装：管件
泰德兰XP152A12C0MR产品，为（TOREX）特瑞仕XP152A12C0MR一级经销商，公司XP152A12C0MR现货优势库存，XP152A12C0MR原装现货，特瑞仕XP152A12C0MR进口品质，XP152A12C0MR优价库存
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