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贴片电容材质封装区别！

NPO电容器  
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±  0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。  NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。  

封  装  DC=50V  DC=100V  
0805  0.5---1000pF  0.5---820pF  
1206  0.5---1200pF  0.5---1800pF  
1210  560---5600pF  560---2700pF  
2225  1000pF---0.033μF  1000pF---0.018μF  

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。  

*  X7R电容器  
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。  

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。  
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。  

封  装  DC=50V  DC=100V  
0805  330pF---0.056μF  330pF---0.012μF  
1206  1000pF---0.15μF  1000pF---0.047μF  
1210  1000pF---0.22μF  1000pF---0.1μF  
2225  0.01μF---1μF  0.01μF---0.56μF  

*  Z5U电容器  
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。  

封  装  DC=25V  DC=50V  
0805  0.01μF---0.12μF  0.01μF---0.1μF  
1206  0.01μF---0.33μF  0.01μF---0.27μF  
1210  0.01μF---0.68μF  0.01μF---0.47μF  
2225  0.01μF---1μF  0.01μF---1μF  

Z5U电容器的其他技术指标如下:  
工作温度范围  +10℃  ---  +85℃  
温度特性  +22%  ----  -56%  
介质损耗  最大  4%  

*  Y5V电容器  
Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。Y5V电容器的取值范围如下表所示  

封  装  DC=25V  DC=50V  
0805  0.01μF---0.39μF  0.01μF---0.1μF  
1206  0.01μF---1μF  0.01μF---0.33μF  
1210  0.1μF---1.5μF  0.01μF---0.47μF  
2225  0.68μF---2.2μF  0.68μF---1.5μF  

Y5V电容器的其他技术指标如下:  
工作温度范围  -30℃  ---  +85℃  
温度特性  +22%  ----  -82%  
介质损耗  最大  5%  

贴片电容容抗：
电容频率越高，电容的容抗越小，不管是那种电，直流也好，交流也好，杂波也好，脉冲也好，都有频率，只是直流的频率是0罢了。电容的容抗你可以看成是一个可变电阻，频率越高，这个电阻就越小。

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参考资料：http://www.yssmd.com/NewsShow.asp?ssfl=1&id=251