舟山dc/dc电源模块

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      二次集成和封装技术——为提高功率密度，近年开发的模块电源无一例外采用表面贴装技术。由于模块电源的发热量严重，采用表面贴装技术一定要注意贴片器件和基板之间的热匹配，为了简化这些问题，最近出现了MLP(Multilayer Polymer)片状电容，它的温度膨胀系数和铜、环氧树脂填充剂以及FR4 PCB板都很接近，不易出现象钽电容和磁片电容那样因温度变化过快而引起电容失效的问题。另外为进一步减小体积，二次集成技术发展也很快，它是直接购置裸芯片，经组装成功能模块后封装，焊接于印制板上，然后键合。这一方式功率密度更高，寄生参数更小，因为采用相同材料的基片，不同器件的热匹配更好，提高了模块电源的抗冷热冲击能力。李泽元教授领导的CPES在工艺上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module)，它是一种三维的封装结构，主要针对功率电路，取代线键合技术。     

       负载点电源模块供应系统 (POL) 或使用点电源供应系统 (PUPS) 等供电系统都广泛采用同步降压转换器。这种同步降压转换器采用高端及低端的 MOSFET 取代传统降压转换器的箝位二极管，以便降低负载电流的损耗。同步降压转换器，工程师设计降压转换器时经常忽视“击穿”的问题。每当高端及低端 MOSFET 同时全面或局部启动时，便会出现“击穿”的现象，使输入电压可以将电流直接输送到接地。 击穿现象会导致电流在开关的一瞬间出现尖峰，令转换器无法发挥其的效率。我们不可采用电流探头测量击穿的情况，因为探头的电感会严重干扰电路的操作。我们可以检查两个场效应晶体管 (FET) 的门极/源极电压，看看是否有尖峰出现。这是另一个检测击穿现象的方法。(上层 MOSFET 的门极/源极电压可以利用差分方式加以监测。) dc/dc电源模块，DC/DC模块电源，电源模块报价
      我们可以利用以下的方法减少击穿现象的出现。
采用设有“固定死区时间”的控制器芯片是其中一个可行的办法。这种控制器芯片可以确保上层 MOSFET 关闭之后会出现一段延迟时间，才让下层 MOSFET 重新启动。这个方法较为简单，但真正实行时则要很小心。若死区时间太短，可能无法阻止击穿现象的出现。若死区时间太长，电导损耗便会增加，因为底层场效应晶体管内置的二极管在整段死区时间内一直在启动。由于这个二极管会在死区时间内导电，因此采用这个方法的系统效率便取决于底层 MOSFET 的内置二极管的特性。 另一个减少击穿的方法是采用设有“自适应死区时间”的控制器芯片。这个方法的优点是可以不断监测上层 MOSFET 的门极/源极电压，以便确定何时才启动底层 MOSFET。 高端 MOSFET 启动时，会通过电感感应令低端 MOSFET 的门极出现 dv/dt 尖峰，以致推高门极电压 。若门极/源极电压高至足以将之启动，击穿现象便会出现。出现在低端MOSFET的dv/dt感生电平振幅，自适应死区时间控制器负责在外面监测 MOSFET 的门极电压。因此，任何新加的外置门极电阻会分去控制器内置下拉电阻的部分电压，以致门极电压实际上会比控制器监控的电压高。 dc/dc电源模块，DC/DC模块电源，电源模块报价
      预测性门极驱动是另一个可行的方案，办法是利用数字反馈电路检测内置二极管的导电情况以及调节死区时间延迟，以便将内置二极管的导电减至最少，确保系统可以发挥的效率。若采用这个方法，控制器芯片需要添加更多引脚，以致芯片及电源模块的成本会增加。 有一点需要注意，即使采用预测性门极驱动，也无法保证场效应晶体管不会因为 dv/dt 的电感感应而启动。 
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