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（三）磁通门传感器微型化成为一种挑战磁通门传感器诞生于20世纪30年代，是为了克服电磁感应线圈无法测量直流磁场而衍生发展出的一种分量式磁传感器， 它利用外磁场影响磁芯磁化的原理来实现磁场测量， 结构上主要由磁芯、激励线圈及探测线圈组成，而决定探测能力的关键是磁芯。当激励线圈产生的高频磁场反复磁化磁芯时， 探测线圈能够感应到一个畸变电压信号，外磁场变化时，该信号也会随之变化，根据畸变信号偶次分量的变化即可探知被测磁场。通过提升磁芯的软磁性能，可使磁通门传感器的分辨力达到pT级水平。随着微纳技术的发展进步，微型磁通门的概念开始出现，人们期望通过微纳加工技术减小高性能磁通门传感器的体积和功耗。但大量研究表明：随着微型磁通门传感器体积的减小，其灵敏度和分辨力都会迅速下降。主要原因是： 微型磁通门传感器的线圈和磁芯一般都是薄膜形态，热噪声水平明显高于通常的线圈和磁芯。近年来，A. Baschirotto等对微型磁通门传感器开展了系统的研究，从PCB磁通门到基于CMOS工艺的IC磁通门都具有很高的水平，分辨力约为几nT/sqr(Hz)（@1Hz），相比传统磁通门传感器尚有较大差距。所以，通过改进设计和制备工艺降低微型磁通门传感器的噪声水平虽是大势所趋，但面临的挑战不小。
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