(3)按污耐压选择瓷(玻璃)绝缘子片数的方法和步骤
电科院、武高所及ngk等均提出了按污耐压选择U120BP/155D悬式瓷瓶绝缘子片数的方法，大同小异，现综合归纳如下：
a.确定现场污秽度(即确定污秽等级及esdd/nsdd)，并按caso4含量进行校正(如本文表3所示);
b.确定单片U120BP/155D悬式瓷瓶绝缘子的污闪耐受电压(un)：
un=(1-kσ)u50
式中：
u50——单片U120BP/155D悬式瓷瓶绝缘子人工污秽试验50%闪络电压，kv;
σ——绝缘子人工污秽闪络电压的标准编差系数，一般取0.07~0.08;
k——与可靠性有关的系数，一般取2.05~3.0(对应的可靠性概率为98%~99.99%)
c.进行灰密(nsdd)修正
灰密修正与U120BP/155D悬式瓷瓶绝缘子人工污秽试验时所用的灰密大小及绝缘子型式有关。
电科院根据试验，提出灰密修正公式为：
kn=1.0(nsdd)-0.09
武高所结合fc-400/205污秽试验(48片串)，提出其灰密修正公式为：
898995850
