供应Agilent E4430B 1G信号发生器
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- 供 应 地：广东省东莞市
- 发布公司：东莞市维技电子有限公司
- 产品型号：E4430B
- 品 牌：安捷伦
- 发布日期：2016/10/9 13:58:29
- 联系人QQ：19903567436
详细说明
Agilent E4430B 1G信号发生器安捷伦250kHz-1GHz
品 牌： Agilent
简单介绍
* 频率范围：
E4430B 250K-1GHz
E4431B 250K-2GHz
E4432B 250K-3GHz
E4433B 250K-4GHz
*供单信道和多信道CDMA用的测量专用卡
*用于I和Q的20 MHz射频带宽
*极度高的电平精度
*步进扫描（频率、功率和列表）
*宽带调幅、调频和调相
*内部数据发生器和突发脉冲功能（选件UN8）
*灵活形成定制调制选件UN8，UND）
*机内有供DECT、GSM、NADC、PDC、PHS和TETRA用的TDMA格式（选件UN8）
*内部双任意波形发生器（选件UND）
*内部误码率分析仪（选件UND7）
* 3年保用期
产品介绍
AgilentESG-D系列射频信号发生器除具有广泛的特性和优良的模拟性能之外，还提供多种数字调制功能，而且在价格方面亦能被用户所接受。他们提供了极好的调制精度和稳定度，以及空前的电平精度。AgilentESG-D系列特别适于满足当前数字接收机测试、元器件测试和本地振荡器应用日益提高的要求。
专门定制的调制和DECT、EDGE、GSM、NADC、PDC、PHS、TETRA标准（选件UN8）
内部生成通用标准的信号来对接收机进行测试。改变调制类型、数据、码元速率、滤波器型式和滤波因数，以生成供元器件和系统容限测试用的定制信号。很容易配置时隙来模拟不同类型的通信业务量、控制信道或同步信道（或突发信号）。可产生具有内部突发功能移动站或基站传输。还降低了对具有综合数据生成功能的外部设备的需求。
内部双任意波开发生器（选件UND）
能重现几乎任何以数学形式生成的波形。可下载长波形或多个波形（达1M取样），以放置或贮存到非易失RAM中供随后使用。14比特的数模转换器（DAC）分辨率扩大了动态范围和改善了噪声性能。在对I/Q生成进行优化后，双任意波形发生器选件将使装置大为简化。
W-CDMA和Cdma 2000
能产生符合正在拟定的国际标准的正确编码信号。模拟用于基站和移动接收机测试的全编码信道或部分编码统计修正的多信道信号，可以对用于正在拟定的国际3G标准的有源元件进行精确的大容量测试。
多信道和多载波CDMA
AgilentESG-D系列提供CDMA（选件UN5）测量专用卡。用多个信道产生多载波CDMA信号，每个载波用于基站和移动站的系统或元件测试。通过选择预定的多载波CDMA配置或明确确定每个信道对每个载波的特性，可以为某些特殊的需要，如互补累积分布函数（CCDF）专门制定某种测试。
内部误码率分析仪（选件UN7）
为测量灵敏度和选择性而进行误码率分析。选件UN7提供用于PN9或PN15比特序列的分析功能，并指出用户规定的测试极限的合格或不合格条件。
宽带I和Q调制
利用模拟I和Q输入，产生复杂的调制格式，以满足射频数字通信系统开发研究和测试的需要。机内正交调制器处理I和Q输入信号，以在10MHz（1dB）带宽范围提供极高的调制精度和稳定度。
极高的电平精度
AgilentESG-D系列射频信号发生器能在宽的功率范围（+13dBm～-136dBm,利用选件UNB时为+17dBm～-136dBm)以极高的电平精度进行精确、有效的灵敏度测试。内部调制格式的电平精度优于±1.1dB(典型值为+0.6dB),从而保证甚至对***灵敏的数字接收机也能进行精密测量。
技术指标
频率范围：
E4430B 250K-1GHz
E4431B 250K-2GHz
E4432B 250K-3GHz
E4433B 250K-4GHz
·关于模拟远程编程和一般技术指标，参阅ESG系列数字调制的电平精度
（ALC接通；相对于连续波；伪随机二进制脉冲序列（PRBS）已调数据）^1л/4DQPSK或QPSK格式：±0.15dB（采用余弦平方或余弦平方根滤波器，α≥0.35；1KHz≤符号速率≤1MHz，射频频率≥25MHz；功率≤额定值-3dBm或用选件UNB时为-6dBm）
·恒定幅度格式
（FSK，GSMK等）：功率电平精度未降低
·ALC断开时的电平精度^2：±0.3dB，典型值（在完成功率搜索之后，相对于ALC接通时的连续波电平精度；若启动外部I/Q：SQR1^2+Q^2+0.5V rms)
·I/Q调制
·I&Q输出
·输入阻抗：50Ω
·满刻度输入：SQR1^2+Q^2=0.5 V rms
·调节/减损（额定值）：
·直流偏置：（I和Q分别独立可调）+100%
·I/Q增益比：±4dB
·I/Q正交：±10°
·直流矢量精度
·相对于满刻度，功率≤+7dBm（对于选件UNB，≤+10dBm）
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