HRMS-800 高温四探针测量系统
■ 功能特点
■ 可以实现高温、真空、气氛等条件下测量薄膜方块电阻;
■ 可以实现常温，变温，恒温条件的 I-V、R-T、R-t等测量功能;
■ 可以通过输入样品的面积和厚度，软件自动计算样品的电阻率ρv;
■ 可以分析电阻率ρv与温度T的变化的曲线;
■ 可以与Keithley 2400或2600数字多用表配套;
为了更方便的研究高温条件下半导体或绝缘材料的导电性能，佰力博科技已经研发出HRMS-800G高温四探针测量系统，该系统可以测量硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃(ITO)和其它导电薄膜的方块电阻,,该设备按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于变温、真空及气氛条件下测试半导体材料电学性能的最佳测量系统。产品链接：http://www.partulab.com/gwstz/hrms800gws.html
■ 技术规格
| 温度范围：室温-600°C | 升温斜率：3°C /min (典型值） |
| 显示精度：±0.1°C | 控温精度：±1°C |
| 电阻：10～106 Ω | 电阻率：10～106 Ω.cm |
| 方块电阻：10～106 Ω/□ | 可测半导体材料尺寸 ：薄膜直径： Φ15～30mm |
| 探针间距：2±0.01mm | 探针压力: 0～2kg可调,最大压力约2kg |
| 针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石 | 针间绝缘电阻：≥1000MΩ |
| 探针材料：碳化钨 | 数据传输：2个USB接口 |
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