碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法
可以由多种方法制备，如化学水浴沉积(CBD)、近空间升华法、丝网印刷、溅射、蒸发等。一般的工业化和实验室都采用CBD的方法，这是因为CBD法的成本低和生成的CdS能够与TCO形成良好的致密接触。
国外碲化镉薄膜太阳能电池产业状况及趋势编辑
碲化镉薄膜太阳能电池是薄膜太阳电池中发展较快的一种光伏器件。美国南佛罗里达大学于1993年用升华法在1cm2面积上做出转换效率为15.8%的太阳电池；随后，日本Matsushita Battery研究的CdTe小面积电池在实验室里的转换效率为16%，成为当时碲化镉薄膜太阳能电池的纪录。
近年来,太阳电池的研究方向是高转换效率、低成本和高稳定性。因此,以碲化镉薄膜太阳能电池为代表的薄膜太阳电池倍受关注，许多组织和公司都开始了研究和测试。西门子开发的面积为3600cm2的碲化镉薄膜太阳能电池转换效率达到11.1%的水平；美国国家可再生能源实验室公布了Solar Cells公司的面积为6879cm2的碲化镉薄膜太阳能电池的测试结果，其转换效率达到7.7%；Bp Solar的碲化镉薄膜太阳能电池面积为4540cm2，转换效率为8.4%，面积为706cm2，转换效率达到10.1%；Goldan Photon的碲化镉薄膜太阳能电池，面积为3528cm2，转换效率为7.7%。
碲化镉(cadmium telluride)
由碲和镉构成的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构。
碲化镉的物理性质
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。
多晶合成用纯度为99.9999％的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行多晶合成。为防止合成时镉的迅速蒸发引起炸管，升温必须缓慢进行，因为在碲化镉的熔点，镉的蒸气压为1MPa。当温度升至800℃时恒温4h，然后缓慢升温到1100℃，整个合成时间为14h。
单晶生长 合成好的多晶料可用垂直布里支曼法，碲熔剂法、气相升华法、高压融体生长法等生长单晶。生长速度分别为2mm／h、3mm／h、0.2mm／h、5mm／h。垂直布里支曼法是现在常用于生长碲化镉单晶的方法，其生长示意图如图所示。
生长碲化镉单晶较困难，其原因是元素镉和元素碲在碲化镉生长温度都有较高蒸气压，因此晶体易偏离化学配比；另-个原因是镉易沾附石英安瓿。
碲化镉的应用前景分析
2.碲化镉已成为薄膜光伏技术的研发重点
2010年3月，美国通用电气公司（GE）宣布将和PrimeStar太阳公司合作，将研发重点放在薄膜光伏技术上面。2009年GE出售了晶体硅太阳电池工厂，是因为发现这种占据世界主要份额的产品对于新进入者而言竞争太激烈。GE认为薄膜电池是的选择，而碲化镉太阳电池对GE更具有吸引力，尤其是PrimeStar的碲化镉技术潜力很大。通过合作，GE希望进一步了解碲化镉的物理性能，使其获得更高的使用效率和更低的发电成本，让碲化镉太阳电池具有更强的竞争力。目前有数百名研究人员在德国、中国、印度、和美国四个研究中心紧张进行GE太阳能技术的开发。中国是发现碲化镉原材料最多的国家。位于上海的GE中国技术中心重点要研究碲化镉材料和它们对设备性能的影响，需要解决的关键问题就是提高材料质量、开发先进的材料特性技术。
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