制备CdTe多晶薄膜的多种工艺和技术已经开发出来，如近空间升华、电沉积、PVD、CVD、CBD、丝网印刷、溅射、真空蒸发等。丝网印刷烧结法：由含CdTe、CdS浆料进行丝网印刷CdTe、CdS 膜，然后在600～700℃可控气氛下进行热处理1h 得大晶粒薄膜. 近空间升华法：采用玻璃作衬底，衬底温度500～600℃，沉积速率10μm/min. 真空蒸发法：将CdTe 从约700℃加热钳埚中升华，冷凝在300～400℃衬底上，典型沉积速率1nm/s. 以CdTe 吸收层，CdS 作窗口层半导体异质结电池的典型结构：减反射膜/玻璃/（SnO2:F）/CdS/P-CdTe/背电极。电池的实验室效率不断攀升，最近突16%。20世纪90年代初，CdTe电池已实现了规模化生产，但市场发展缓慢，市场份额一直徘徊在1%左右。商业化电池效率平均为8%-10%。
90年代后期，四川大学太阳能材料与器件研究所，在冯良桓教授的带领下在我国开展了碲化镉薄膜太阳能电池的研究，在“九五”期间，承担了科技部资助的科技攻关计划课题：“Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池的研制”，教授采用近空间升华技术研究碲化镉薄膜太阳能电池，并取得很好的成绩。最近电池转换效率已经突破13.38%，进入了世界先进行列。“十五”期间，CdTe电池研究被列入国家高技术研究发展计划“863”重点项目。
碲化镉的应用前景分析
2.碲化镉已成为薄膜光伏技术的研发重点
2010年3月，美国通用电气公司（GE）宣布将和PrimeStar太阳公司合作，将研发重点放在薄膜光伏技术上面。2009年GE出售了晶体硅太阳电池工厂，是因为发现这种占据世界主要份额的产品对于新进入者而言竞争太激烈。GE认为薄膜电池是的选择，而碲化镉太阳电池对GE更具有吸引力，尤其是PrimeStar的碲化镉技术潜力很大。通过合作，GE希望进一步了解碲化镉的物理性能，使其获得更高的使用效率和更低的发电成本，让碲化镉太阳电池具有更强的竞争力。目前有数百名研究人员在德国、中国、印度、和美国四个研究中心紧张进行GE太阳能技术的开发。中国是发现碲化镉原材料最多的国家。位于上海的GE中国技术中心重点要研究碲化镉材料和它们对设备性能的影响，需要解决的关键问题就是提高材料质量、开发先进的材料特性技术。
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