1.碲化镉在太阳能领域的应用
在面对环境污染、全球气候变暖，以及廉价载能体很快将会枯竭等问题的背景下，远景战略（到2100年）中已明确提出，太阳能将占到世界能源生产60%的份额，并将逐步替代传统化石能源，如天然气、石油、煤等。目前，全球太阳能所占份额还很小，世界各国生产用于太阳能转换的所有电池的总功率为15600兆瓦，其中2008年生产的电池功率为5600兆瓦，约合159亿美元。预计到2015年，年产量可增大到约30000兆瓦。
变换禁带宽度（1.45-2.26电子伏特）可以使CdZnTe成为光电转换器中很有前景的吸收层材料。早期的文献中就曾有报导，此种材料的光电转换器效率可以达到25%。
目前世界年生产碲化镉基太阳能电池约720兆瓦，是2003年初期产量（25兆瓦）的14倍强。预计到2015年，碲化镉基太阳能电池市场约为1400-1600兆瓦，而就Cd1-xZnxTe层的培育而言，则要使用高纯的CdTe和ZnTe粉末（5N以上）。
碲化镉的应用前景分析
2.碲化镉已成为薄膜光伏技术的研发重点
2010年3月，美国通用电气公司（GE）宣布将和PrimeStar太阳公司合作，将研发重点放在薄膜光伏技术上面。2009年GE出售了晶体硅太阳电池工厂，是因为发现这种占据世界主要份额的产品对于新进入者而言竞争太激烈。GE认为薄膜电池是的选择，而碲化镉太阳电池对GE更具有吸引力，尤其是PrimeStar的碲化镉技术潜力很大。通过合作，GE希望进一步了解碲化镉的物理性能，使其获得更高的使用效率和更低的发电成本，让碲化镉太阳电池具有更强的竞争力。目前有数百名研究人员在德国、中国、印度、和美国四个研究中心紧张进行GE太阳能技术的开发。中国是发现碲化镉原材料最多的国家。位于上海的GE中国技术中心重点要研究碲化镉材料和它们对设备性能的影响，需要解决的关键问题就是提高材料质量、开发先进的材料特性技术。
制备CdTe多晶薄膜的多种工艺和技术已经开发出来，如近空间升华、电沉积、PVD、CVD、CBD、丝网印刷、溅射、真空蒸发等。丝网印刷烧结法：由含CdTe、CdS浆料进行丝网印刷CdTe、CdS 膜，然后在600～700℃可控气氛下进行热处理1h 得大晶粒薄膜. 近空间升华法：采用玻璃作衬底，衬底温度500～600℃，沉积速率10μm/min. 真空蒸发法：将CdTe 从约700℃加热钳埚中升华，冷凝在300～400℃衬底上，典型沉积速率1nm/s. 以CdTe 吸收层，CdS 作窗口层半导体异质结电池的典型结构：减反射膜/玻璃/（SnO2:F）/CdS/P-CdTe/背电极。电池的实验室效率不断攀升，最近突16%。20世纪90年代初，CdTe电池已实现了规模化生产，但市场发展缓慢，市场份额一直徘徊在1%左右。商业化电池效率平均为8%-10%。
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