溅射靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
微电子硅片引线中，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率 ，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要 ，但却带来了其他的问题 。铜与有机介质材料的附着强度低 并且容易发生反应 ，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。 为了解决以上这些问题， 需要在铜与介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料一般采用高熔点 、高电阻率的金属及其化合物 。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的 ，需要研制新的靶材材料。 铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难 现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料 。
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磁控溅射靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
磁控溅射靶材应用领域
存储用在储存技术方面，高密度、大容量硬盘的发展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多层复合膜是如今应用广泛的巨磁阻薄膜结构。磁光盘需要的 T b F e C o合金靶材还在进一步发展，用它制造的磁光 盘具有存储容量大，寿命长，可反复无接触擦写的特 点。如今开发出来的磁光盘，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 层复合膜结构， T bF eCo/AI结构的Kerr 旋转角达到5 8，而T b F e Co f F a 则可以接近0.8。经过研究发现， 低磁导率的靶材高交流局部放电电压 l 抗电强度。
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溅射靶材使用指南及注意事项
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
溅射靶材保持真空腔体尤其是溅射系统洁净是非常重要的。任何由润滑油和灰尘以及前期镀膜所形成的残留物会收集水气及其他污染物，直接影响真空度获得和增加成膜失败的可能性。短路或靶材起弧，成膜表面粗糙及化学杂质含量超标经常是由于不洁净的溅射室、溅射枪和靶材引起的。
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