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溅射靶材

北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年，石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。

微电子硅片引线中，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要，但却带来了其他的问题。铜与有机介质材料的附着强度低并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的，需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料。