溅射靶材
北京石久高研金属材料有限公司成立于2005年， 石久高研致力于镀膜靶材和蒸发料的研发和生产工作，为电子行业、玻璃工业、数据存储、装饰镀膜、工具镀膜等行业的镀膜企业提供高品质的靶材和蒸发料。公司主营金属靶材、金属材料、光学镀膜材料等。
微电子硅片引线中，铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率 ，能够满足半导体工艺在 0.25 μm以下的亚微米布线的需要 ，但却带来了其他的问题 。铜与有机介质材料的附着强度低 并且容易发生反应 ，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。 为了解决以上这些问题， 需要在铜与介质层之间设置阻挡层。 阻挡层材料一般采用高熔点 、高电阻率的金属及其化合物 。因此要求阻挡层厚度小于 50 nm 且与铜及介质材料的附着性能良好。 铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的 ，需要研制新的靶材材料。 铜互连的阻挡层用靶材包括 Ta、 W、 TaSi 、WSi 等。但是 Ta、W 都是难熔金属，制备相对困难 现在正在研究钼、铬等的合金作为替代材料 。
石久高研专注15年提供高纯金属靶材 高品质、高纯靶材欢迎来电咨询~~~
溅射靶材
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解决溅射过程中的微粒飞溅
溅射镀膜的过程中， 致密度较小的溅射靶受轰击时， 由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放， 造成大尺寸的靶材颗粒或微粒飞溅， 或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅。这些微粒的出现会降低薄膜品质。如在VLSI 制作工艺过程中，每150 mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样解决溅射靶材在溅射过程中的微粒飞溅也是今后研究与设计靶材的发展方向之一。一般来说， 粉末冶金工艺制备的溅射靶材大都存在致密度低的问题，容易造成微粒飞溅。因此，对熔融铸造法制备的靶材，可采用适当的热加工或热处理来提高其致密度；而对粉末冶金溅射靶材则应提高原料粉末纯度，并采用等离子烧结、微波烧结等快速致密化技术，以降低靶材孔隙率。
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溅射靶材
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磁控溅射原理：在被溅射的靶极(阴极)与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体，磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。 磁控溅射一般分为二种：支流溅射和射频溅射，其中支流溅射设备原理简单，在溅射金属时，其速率也快。
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