产品名称：HLCB/ZDP/4.4T称重传感器

产品品牌：德国HBM称重传感器，HBM称重传感器

应变片扭矩传感器使用的是应变电测技术。它的原理是利用弹性轴，粘贴应变计，组成了测量电桥，当弹性轴受扭矩作用发生微小形变，电桥的电阻值就会发生变化，进而电信号发生了变化，实现扭矩的测量。
应变片扭矩传感器的特点是分辨能力高、误差较小、测量范围大、价格低廉，便于选择和大量使用。
相位差时扭转传感器就是扭转角相位差式传感器，它的原理就是根究磁电相位差式转矩测量技术，才弹性轴的两端安装两组齿数、形状及安装角完全相同的齿轮，齿轮外侧安装接近传感器。当弹性轴旋转时，两组传感器的波形产生相位差，从而计算出扭矩。
它的特点主要是实现了转矩信号的非接触传递，检测的信号是数字信号，转速较高。但是这种扭矩传感器体积较大，低转速时的性能不理想，因此应用已不是很广泛。
PW27C3MR/20Kg

SP4C3MR/1KG

SP4C3MR/3KG

SP4C3MR/5KG

SP4C3MR/7KG

SP4C3MR/10KG

SP4C3MR/15KG

SP4C3MR/200KG

K-C2A-S-D1-1T-2-S6

K-C2A-S-D1-2T-2-S6

K-C2A-S-D1-5T-2-S6

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德国HBM HLCB/ZDP/4.4T称重传感器工作原理

除了英特尔有些难产之外，台积电、三星早就量产了10nm工艺，目前正在争夺7nm工艺制高点，再加上Globalfoundries，这四强代表了半导体制造工艺的巅峰。近几天台积电在南京建设的晶圆厂已经开始出货，使用的是16nm工艺，这是国内技术水平高的工艺，不过能代表大陆自主技术水平的还是中芯国际、华虹半导体的28nm工艺。来自中芯国际的消息称，国产14nm工艺预计在2019年上半年量产，同时中芯国际力争用10年时间进入第一梯队。

德国HBM HLCB/ZDP/4.4T称重传感器价格

的一些进展。以半导体制造装备为例，中国新建的晶圆厂绝大多数装备都是进口的，10块钱的装备有9.8元都进入了国产厂商的口袋。

德国HBM HLCB/ZDP/4.4T称重传感器外观图

德国HBM称重传感器精度要求

MOD300/20Kg MOD750/15T MOD120/250KgMOD300/30Kg MOD750/20T MOD140/3KgMOD300/50Kg MOD750/25T MOD140/5KgMOD300/75Kg MOD750/30T MOD140/8KgMOD300/100Kg MOD530/20T MOD140/15KgMOD300/150Kg MOD530/25T MOD140/20KgMOD300/200Kg MOD540/2T MOD140/30KgOD300/250Kg MOD540/3T MOD140/50Kg　除了大家经常听到的光刻机之外，还有离子蚀刻机、离子注入机、光学抛光机、快速退火设备等等，在这方面中芯国际也积极支持国产装备，过去七年中国产半导体装备的占有率从1%提高到了15%。

与此同时，中芯国际还在不断缩小与国外先进工艺的差距，按照原文的说法，中国集成电路先进制造工艺已经从之前落后国际4到5代缩小到了1-2代的差距，中芯国际的14nm工艺预计会在2019年上半年量产。

德国HBM HLCB/ZDP/4.4T称重传感器应用

对于国产14nm工艺，这是2015年比利时国王访华时中比双方签订的一系列合作之一，比利时有全球著名的IMEC比利时微电子中心，在先进半导体工艺上具备丰富的经验，当时中芯国际、华为以及高通联合IMCE签署了合作协议，研发14nm FinFET制造工艺，预定目标是2020年之前量产，现在来看进度还是OK的。

不过协议签署时国内还没有28nm以下的先进工艺，此后台积电宣布在南京建设16nm工艺晶圆厂，2016年正式动工，原本预计今年下半年量产，不过工程进展很快，上半年就已经正式量产了，所以中芯国际的14nm在国内市场也会遭遇台积电的强力竞争，而且后者在量产时间、工艺成熟度上显然更有优势

德国HBM HLCB/ZDP/4.4T称重传感器调试方法

MOD340/150Kg MOD420/2.5t MOD200/10KgMOD340/200Kg MOD420/5t MOD200/15KgMOD340/250Kg MOD420/10t MOD200/20KgMOD340/300Kg MOD420/20t MOD200/30KgMOD340/500Kg MOD420/30t MOD230/7.5KgMOD340/750Kg MOD460/5t MOD230/12KgMOD340/1000Kg MOD460/10t MOD230/18Kg

尽管如此，在14nm量产之后，中国半导体工艺与世界先进水平的差距确实大大缩小了，28nm、14nm以及未来的7nm都是高性能节点，会长期存在，所以只要能量产出来，对发展国产高性能芯片都是有益的。

中芯国际CEO周子学此前在一次内部会议上表示中芯国际将用10年时间争取进入世界第一梯队。