设计开关电源时防止EMI的设计技巧
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- 发布公司:深圳市易容信息技术有限公司
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- 发布日期:2016/11/25 20:58:04
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详细说明
作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的干扰强度较大; 干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的位置 较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹),主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰;而印 刷线路板(PCB)走线通常采用手工布线,具有更大的随意性,这增加了 PCB 分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
1MHZ 以内----以差模干扰为主,增大 X 电容就可解决
1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标 并解决;5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕 2 圈 会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减(diudiu2006);对于 25--30MHZ 不过可以采用加大对地 Y 电容、 在变压器外面包铜皮、改变 PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,最少绕 10 圈、在输 出整流管两端并 RC 滤波器。
30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速开通关断引起,可以用增大 MOS 驱动电阻,RCD 缓冲电路采用 1N4007 慢管,VCC 供电电压用 1N4007 慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二极管,现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁 珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向就很无奈了
开关电源的辐射一般只会影响到 100M 以下的频段。也可以在 MOS,二极管上加相应吸收回路,但效率 会有所降低。
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