标准包装：50
包装类型：管件
RoHS规范：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：9A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：700pF @ 25V
功率 - 最大值：30W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FP
898995850
