在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节.
某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是：
1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等
2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等
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伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
客户存在的问题:
客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题.
解决方案:
客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面
运行结果:
1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量
2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性
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