某光学薄膜制造商采用20cm 的溅射源为 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助溅射制备 LaF3 薄膜.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
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运行结果:
1. 采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 镀制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布
2. 制备的 LaF3薄膜的环境稳定性更高
3. 离子源溅射制备的减反膜透过率为99.2%, 反射率为 0.1%, 表现了较好的光学特性
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