某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
|
离子源型号 |
RFICP220 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>800 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
20 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
30 cm |
|
直径 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
.jpg)
提高镀膜均匀性的重要性：
以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用. 在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽.
为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯东版权所有, 翻拷必究!
联系人：叶南晶(销售部市场助理)
手机：13918837267
邮箱：ec@hakuto-vacuum.cn
898995850
