一、产品名称概述：
纳米银填充导电浆料研磨分散机,纳米银填充导电浆料分散机,纳米银导电浆料研磨分散机,纳米银导电浆料分散机;
二、纳米银填充导电浆料的发展:
导电浆料是发展电子元器件的基础及封装、电极和互联的关键材料。随着电子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向发展，国内外正在开展金属导电填料纳米化研究。其中，纳米银填充导电浆料备受关注；
一般认为纳米银填充到基体中，由于粒子间的接触点面积小，填料粒子数目增多导致接触电阻增加。只有当纳米银间距离在一定范围内时，由于隧道效应等使导电性增强，这主要与其颗粒大小和形貌、表面性质和烧结行为等密切相关；
导电浆料一般由2-3个基体部分组成，即导电相（金、银、铜等）、有机载体（有机树脂和溶剂）和粘结剂（硅酸盐玻璃等）;
三、纳米银导电浆料简介：
银具有较高的导电率、优异的物理化学性能、可接受的价格及其氧化物也具有导电性能等特点广泛用于导电填料。目前导电银浆中的导电相主要是微米或亚微米银粉，这些浆料已不能满足低温烧结和多层布线等新技术的要求;
由于纳米银的表面效应、小尺寸效应等，以纳米银作为导电填料可以提高导电和导热性；减少银用量，降低生产成本；降低固化温度，使银浆可以应用在PET模块、柔性基板等；改善导电胶剪切强度等。除具有上述明显的优点外，也存在诸如浆料分散稳定性较差，放置后极易出现纳米银的团聚和沉降，导电性能不稳定和适用期短等问题;
四、纳米银填充导电浆料的制备方法：
纳米银填充导电浆料的制备方法与微米银浆料的制备方法相似，主要是将市售或自制的纳米银以干粉或液态形式，单一或与微米银片混合，通过机械搅拌、高速剪切、超声分散、高能球磨等方式分散到有机载体中。目前较为合适的为高速剪切的方式，主要优势为浆料适用性高、产量高、效率高。特别推荐SGN机械GMSD2000系列研磨分散机，转速高达18000rpm，先研磨后分散，解决团聚问题，还原纳米粒径，得到多家厂家的认可和信任;
五、GMSD2000系列研磨分散机特点：
1、接触过江苏思峻的人都知道，SGN胶体磨和SGN分散机在行业就是较高端的设备，SGN胶体磨和国内胶体磨相比、SGN分散机和国内分散机相比都是存在巨大优势的，而SGN研磨分散机又是将二者结合的设备，处理效果，不言而喻。SGN研磨分散机转速可达14000rpm，是传统分散机的4-5倍;
2、国内分散机的结构大都都是直连电机，分散机的主轴和电机直连，电机就决定了主轴的转速。而进口分散机采用分体式结构，通过皮带进行变速，国产设备由于结构的设计缺失、机械密封技术的不足的原因，以及改进后成本大幅度的提高问题，一直无法实现高速分散机的自主研发和生产;
3、SGN高速剪切研磨分散机有很高的线速度，以及一级磨头，特殊上深下浅的三层磨头结构，一次处理即可满足细化要求。一级刀头形状，可以把相对大块的物料进行初步粉碎，以便能顺利通过更细的两级进行细微化研磨。磨头齿列深度为从开始的 2.7mm 到末端的0.7mm，除了更精密之外，上深下浅的齿列结构，相较沟槽是直线，同级的沟槽深度一样的磨头，可以保证物料从上往下一直在进行研磨。虽和其它产品一样磨头采用三层磨齿，但他们只能在一级磨头到另外一级磨头形成研磨效果。二级分散盘，无论是在分散盘的结构、还是定转子的间隙都有比其他分散盘要精密的多;
六、纳米银导电浆料研磨分散机参数表：
|
型号 |
流量L/H |
转速rpm |
线速度m/s |
功率kw |
入/出口连接DN |
|
GMSD2000/4 |
300 |
18000 |
51 |
4 |
DN25/DN15 |
|
GMSD2000/5 |
1000 |
13500 |
51 |
11 |
DN40/DN32 |
|
GMSD2000/10 |
2000 |
9260 |
51 |
22 |
DN80/DN65 |
|
GMSD2000/20 |
5000 |
3664 |
51 |
37 |
DN80/DN65 |
|
GMSD2000/30 |
8000 |
1825 |
51 |
55 |
DN150/DN125 |
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898995850
