uv光催化氧化设备详细介绍uv光催化氧化设备采用国际上较先进技术理念，通过专家及我公司工程技术人员长期反复的试验，开发研制出的，具有完全自主知识产权的高科技环保净化产品可彻底分解工业废气中有毒有害物质，并能达到完美的脱臭、净化效果，经分解后的工业废气，可完全达到无害化排放，不产生二次污染，同时达到高效消毒杀菌的作用。
uv光解氧化除臭设备
恶臭气体处理设备—UV光解氧化除臭设备 光解氧化除臭设备采用微波场激发无极灯，产生高强紫外线，其中154nm-185nm波长在系列光谱中使占比例高达14%，紫外线剂量大于65mw/cm2，光子能量大于880kJ/mol，是当前工业UV/O3紫外灯中剂量和能量大的紫外线，能迅速裂解硫化（H-S键能为368kJ/mol），氨气（H-N键能为393kJ/mol）等键能小于880kJ/mol的分子键；光解时间大于1s，无极灯紫外线同样能裂解自然界中相对比较稳定的氮氮叁键（键能941.69kJ/mol ）。无极灯紫外线光解氧气产生臭氧（活氧O3），臭氧能快速氧化金属性较强的污染物，臭氧量可根据污染物的浓度以及后续反应时间设定。 无极灯没有电极，完全避免了由于电极氧化性老化导致的安全性问题，同时极大提高了紫外灯的使用寿命，克服了设备加工中电极绝缘和密封所带来的结构问题。 
uv光催化氧化设备原理
半导体光催化剂大多是n型半导体材料（当前以TiO2使用最广泛）都具有区别于金属或绝缘物质的特别的能带结构,即在一个价带和导带之间存在一个禁带。由于半导体的光吸收阈值与带隙具有式K=1240/Eg(eV)的关系,因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域。当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时,半导体的价带电子发生带间跃迁,即从价带跃迁到导带,从而产生光生电子(e-)和空穴(h+)。此时吸附在纳米颗粒表面的溶解氧俘获电子形成超氧负离子,而空穴将吸附在催化剂表面的氢氧根离子和水氧化成氢氧自由基。而超氧负离子和氢氧自由基具有很强的氧化性,能将绝大多数的有机物氧化至最终产物CO2和H2O,甚至对一些无机物也能彻底分解。
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