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Parylene沉积过程
Parylene采用了一种独特的化学气相沉积工艺(CVD)。CVD工艺最早应用于半导体工业的外延生长,整个过程是气态反应,又在真空条件下进行,因而可以获得非常均匀的涂层,达到其它方法难以实现的同形性。沉积过程大体可分为三步:1.真空120度条件下将固态原料升华成气态;2.650度条件下将气态原料裂解成具有反应活性的单体;3.气态单体在室温下沉积并聚合。气态单体进入沉积腔室,首先扩散至沉积表面附近,吸附到各个表面 后,开始聚合和结晶的过程,直接形成固体,避免了液相的出现,消除了 涂层厚度不均匀和其中的缺陷。
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