FT838MBD 内置4A MOS，规格：5V2A
FT838MBD 封装：DIP-8 包装：2000
一级代理商：深圳市鹏锦科技有限公司/咨询电话：18476656316 曾小姐
使用FT838MBD设计的高效率、低输出纹波噪音充电器方案，FT838MBD 内置4A MOS，规格：5V2A
特色概述
全电压输入范围（90Vac~264Vac）
高效率
Efficiency ≥ 78.65% @115Vac/230Vac
低待机功耗
< 120mW
输出纹波噪音低
<80mV
输出短路保护
输出过流保护
优秀的容性负载启机特性
在5 级能效标准基础上有充足的效率余量
内置功率MOS，DIP-8 封装，IC 温升低；外围元件简洁，成本低。
简介
FT838MBD_5V 2.0A 是一款宽电压输入（90Vac~264Vac），具有高效率，高性价比
的充电器适配器方案。
3 电路原理图
4 布局
1mm 的PCB 厚度
5 物料清单
6 变压器规格
7 测试数据
所有数据均在常温下测得。
7.1 效率曲线
Io(A)
7.2 待机功耗
7.3 输出VI曲线
输出3%线性补偿
7.4 关键器件温度测试
测试条件：Vin=90Vac，Load= CC:2A
Vin=264Vac，Load= CC:2A
备注： T1-W：变压器线圈
T1-C：变压器磁芯
Diode：输出续流管
AMB：环境温度
测试DEMO 温度放在常温包壳封闭环境下进行
8 关键波形
8.1 输出纹波噪音
详细方案资料，通过以下方式咨询：
深圳公司：深圳市鹏锦科技有限公司
地 址：深圳市福田区振华路家乐大厦4楼B座
联系人：曾小姐
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