供应场效应IRF3710 IRF3205 IRF840
数据列表 IRF3205S/L
产品相片 TO-262 Pkg
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8 毫欧 @ 62A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 110A
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 146nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3247pF @ 25V
功率 - 最大 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-262-3（直引线）
包装 管件
供应商设备封装 TO-262
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