型号：FT838D  

封装：SOT23-5

批号：2014+

FT838D：

1、满足能源之星2.0和5级能效；

2、批量输出电压精度电流精度正负5%以内；

3、保护功能齐全，可靠性好；

4、满足EN55022 ClassB EMI要求； 

FT838D价格优惠，FMD一级代理，tel：18320930028谭小姐

基本参数：

输入电压范围： 90~264V

输出电压/电流： 5V/2.1A

尺寸： 43*40mm

典型效率： 74%

EMI： pass

空载待机功耗： <150mW

最大输出纹波： <200mVp-p

 产品优势

1、满足能源之星2.0和5级能效；

2、批量输出电压精度电流精度±5%

以内；

3、保护功能齐全，可靠性好；

4、满足EN55022 ClassB EMI要求；

特点

无需光耦及TL431反馈
节能模式：脉冲频率调制控制模式(PFM)
内置抖频功能来改善 EMI性能
每一个开关周期的电流限制
VCC过压保护(OVP)
欠压锁定(UVLO)
输出短路保护
内置输出线损补偿
输入线电压补偿以提高输出电流精度

芯片版本与管脚定义

表1：FT838D/FT838R 芯片功能

芯片本版 线损补偿比例
FT838D0 0%
FT838D1 3%
FT838D2 6%
FT838D3 9%
FT838R N/A
FT838D内置输出线损补偿，用户可根据实际输出导线情况选择合适的芯片版本。FT838R主要应用于LED驱动应用，故无线损补偿。

管脚号 管脚名称 I/O 注解
1 FB I 输出电压反馈端
2 GND I 芯片的大地
3 CS I 初级电流检测端
4 OUT O NPN开关管的基极驱动端
5 VCC I 供电端

内部工作框图

恒压控制
原边反馈的控制方法可以在无需副边电压与电流检测的情况下实现精确的恒压/恒流控制。图 2是典型应用线路。图3是芯片内部框图，图4是一些主要的波。副边输出状态是在功率三极管关断时从原边的辅助绕组得到的。使用独特的采样方法来检测输出绕组电压(Vs)和副边二极管的放电时间(Tdis)。 采样后的电压与内部精准的参考电压(VFB)比较后再通过调制误差放大器的输出来确定开关管的关断时间。从而实现了精确的输出电压调节。

恒流控制
图4所示，输出电流Io在断续模式(DCM)的反激拓扑中可以通过方程(1) 来表达。

降频工作模式
原边反馈控制芯片在恒压工作模式下时，工作频率随着负载电流的减小而减小，负载电流减小到零时，频率降到最低。有了这种控制模式，电源控制芯片能轻松满足最严格的功率转换效率的要求。同时为了改善输出瞬态相应特性，在频率随负载电流减小的同时降低原边峰值电流，避免空载时输出频率过低，达到提高输出瞬态相应速度的目的。

频率抖动
这款原边反馈控制芯片集成了内部的抖频功能来改善 EMI的性能。

输出电压电流特性
电池充电器一般会设计两种工作模式，恒压充电与恒流充电。图5所示为充电器基本的充电特性。当电池电压很低时，充电器工作在恒流充电状态。这是电流充电的主要方式。当电池电压达到它的最终电压时，电流便逐渐停止。充电器便进入恒压充电模式。最终，充电电流逐渐减小直到零。

启动电路

当电源启动时，如图6所示，输入电压Vbus通过启动电阻R1对电容C1进行充电。当电容的电压(VCC)达到芯片启动电压(VCC-ON)时，原边反馈控制芯片开始启动。

VCC欠压锁定

这款原边反馈控制芯片的开启和关断门槛固定在17.67V和6.6V。在启动时，VCC电容必须通过启动电阻R1充电至17.6V从而来启动控制芯片。在能量不能从辅助绕组中得到时，VCC电容将一直对控制芯片供电，直到辅助绕组开始对VCC供应大于6.6 V的电压。如果VCC电压低于6.6V，芯片将进入VCC欠压锁定状态，关闭芯片内部的一些电路，此时，Vbus通过R1给电容C1充电，直到VCC电压达到17.6 V，芯片再次启动，打开所有的内部电路。这个欠压锁定的滞环将保证在启动时VCC电容足够对控制芯片供电。
输入欠压保护
这款原边反馈控制芯片有一个内置的输入欠压保护功能。如图9所示,当功率三极管Q1导通时

输出线损补偿
控制芯片内置一个线端补偿功能来补偿输出导线的电压损失。不同的输出线规格和长度将会导致不同的线端输出电压。

LEB时间
每一次功率三极管Q1开通时，由吸收二极管D5的反向恢复和功率三极管Q1的寄生电容以及变压器原边绕组的匝间分布电容所产生的尖峰将会反映在CS的检测信号上。为了防止功率三极管Q1的误动作，这款原边反馈控制芯片的检测将会在上升沿有一段时间空白（LEB）。在这一空白的时间内，芯片关断输出。这款芯片的LEB时间约为400ns。