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蓄电池常见故障现象及分析处理一、板板硫酸盐化的现象及处理
1、极板硫酸盐化的现象如下:
a、硫酸盐化电池在正常放电时,比其他正常电池的容量明显降低。
b、电解液密度下降低于正常值,而且是长时期落后。
c、充电过程中电压上升很快,高达2.9伏/单格左右(正常值在2.7伏/单格左右),而在放电过程中电压降低很快,1-2小内就降低到1.8伏左右(10小时率放电)。
d、充电过程中冒气泡过早。
e、极板颜色和状态不正常。正极板呈浅褐色(正常为深褐色),极板表面有白色硫酸铅斑点,负极板呈灰白色(正常为灰色),用手指触摸极板表面时感觉到有粗大颗粒的硫酸铅结晶,并且极板发硬。
正常蓄电池'>蓄电池在放电后,正负极板上的活性物质,大都变成松软硫酸铅的小结晶,均匀地分布在极板中,在充电时轻易恢复成原来的二氧化铅和海绵状铅,这是一种正常的硫酸化作用。通常所说的极板硫酸盐化是指不正常的状态。由于电池使用不当,长期充电不足,或半放电状态,过量放电或放电后不及时充电,内部短路,电解液密度过高,温度高,液面低使极板外露等都可以导致极板硫酸盐化。这是由于在极板上由于重结晶作用形成了粗大的硫酸铅结晶,这种结晶导电性差,体积大,会堵塞极板的微孔,妨碍电解液的渗透作用,增加了电阻,在充电时不易恢复,成为不可逆硫酸铅,使极板中参加电化学反应的活性物质减少,因此容量大大降低。
2、极板硫酸盐化是电池损坏的主要原因之一,处理极板硫酸盐化,是一件比较困难和复杂的工作,根据极板硫酸盐程度不同有下列三种处理方法:
a、过充电法。适用于硫酸盐化不很严重的蓄电池。倾出电池中的电解液并立即加进纯水,液面高出极板20mm左右,用0.1C20A进行充电(C20电池额定容量值)。当电压上升到2.5伏/单格时,停充半小时,改用0.025C20A小电流充数昼夜(100小时以上)一直到电压、比重等稳定不变,极板白色斑消失为止。停充电前1小时调整电解液密度为1.280g/cm3。
b、反复充电法。硫酸盐化严重,容量仅为正常电池一半。倾出电解液并立即加进纯水,液面高出极板20mm左右,用0.1C20A电流充电,电压升为2.5伏/单格时,停充半小时,改用0.05C20A电流充电充到有大气泡时停充半小时,改用0.05C20A充电到电压、密度等稳定不变,停充半小时,再通电时,电解液立即起沸腾现象,10分钟左右电压即上升到上次充电终了时的值,否则再停再充。
充好后的电池用0.05C20A电放逐电,放电到电压为1.80伏/单格时,停放静置1-2小时再用0.05C20A电流充电,充好后再放电,如容量进步未几,白斑又未消除时再充再放,反复连续进行数昼夜,直到放电接近额定容量,白斑完全消除为止。
C、水疗法(反复充放电法)。适用于硫酸盐化极为严重,容量已达不到额定容量一半的蓄电池。将电池放电至电压为1.8伏/单格,(用10小时率电流)将电解液倾出,注进纯水,液面高于极板20mm左右,静置1-2小时,用0.05C20A充电至电解液密度升至1.1-1.20g/cm3,改用0.02C20A充电至电解液密度不再上升,均匀冒出气泡为止,用0.02C20A放电2小时,然后再用0.02C20A充电至均匀冒出气泡,留意充进电量应远远超过放出电量,这样反复数周或一个月,直到用0.05C20A放电检查达到额定容量的75以上为止。
留意在充电过程中,电解液的温度不得超过45℃,假如温度超过40℃时,应将电流减小,或暂停充电,待电解液温度降到35℃以下时才能进行充电。如温度仍降不下来,应考虑电池内部短路的故障'>故障,实际充进的总电量应为额定容量的5倍以上。
极板消除硫酸盐化现象的标志是:电池在充放电过程中电压、比重、极板颜色和极板上发生气泡的程度,应与其他正常电池一致。
二、极板弯曲和断裂的原因及处理
1、电池在使用寿命终止后,由于板栅腐蚀、强度变小、造成极板断裂,尤其正极板表现更为严重,这属于正常的寿命终止。但由于使用维护不当,会造成极板的弯曲和加速板栅的腐蚀,其原因有以下几点:
a、极板活性物质在制造过程中因涂膏不均或运输保管中受潮,蓄电池在充放电时,极板各部分所引起的电化学变化不均,使极板各部分膨胀和收缩不一致,引起弯曲和断裂。
b、大电流充放电或高温放电时,极板上活性物质反应较强烈,轻易造成电化学反应不均而引起弯曲和断裂。
c、电池使用后来未进行充电而保存,板栅与较多的硫酸和硫酸铅接触,加速了板栅腐蚀,造成板栅筋条和极板断裂。
d、过量充电或过量放电,增加了内层活性物质的膨胀和收缩,恢复过程不一致,造成极板的弯曲和断裂。
2、如极板断裂严重,应更换极群装进电池,换进的极群应与电池中极群的新旧程度不宜相差过多,由于极群串联接进电池后,即使是新极板也会受到其他单格旧极群的制约而不能发挥更好的效率。假如极板有少量的大筋断裂,(对大型,固定型电池或厚型极板而言)可将断裂处锉出金属光泽,进行焊补修理。
三、活性物质过量脱落的原因及处理
1、将电池的极群取出,检查沉淀槽中的沉淀物,假如是活性物质少量脱落,在电池正常工作的范围内是答应的,假如大大超过正常的情况时,就要及时分析原因,并进行处理。
a、电池槽底部在短时间内集积了大量褐色沉淀,说明是自正极板上脱落,有由于充电电流过大或经常过充电造成的。
b、沉淀物为白色时,是由于经常过放电,致使活性物质成硫酸铅沉淀,或电解液中有杂质,特别是氯过量太多而形成氯化铅沉淀。
c、沉淀物形成褐、浅兰、白色互相交迭,堆积,说明了电池内进进了铁、铜等有害物质。
d、假如发现脱落物质是粘糊状的,说明电解液不纯,密度较大或电池充放电温度高,使极板腐蚀脱落。假如沉淀物成块状,说明铅膏质量工艺较差,电池装配中造成活性物质脱落。
活性物质过量脱落,一方面造成电池容量下降,另一方面轻易在电池底部造成正负极板短路,使电池使用寿命及早终止。
2、假如由于活性物质脱落,引起极板底部短路,则需要将极群抽出,取出沉淀物,清除极板短路部位,将棋群装进电池,更换新的电解液,再以较小电流充电,并在充电后期调整电解液密度和液面高度,使电池恢复使用。
四、短路现象的检查和处理
1、短路现象表现在:电池开路电压低,电解液密度比其他电池低,充电时不冒气或冒气出现很晚,电解液温度比其他单格电池温度高,电解液密度和充电电压上升少甚至不变。放电时容量小,电压下降快,轻易发生极板硫酸盐化现象,极群取出后检查正极板从深褐色变为浅褐色,负极板从浅灰色变灰白色,而且手感发硬并有短路现象痕迹。
蓄电池内部短路的原因是,导电物体落进电池内造成正负极板短路,或是焊接装配时有“铅豆”在正负极之间造成短路。隔板穿孔或孔径太大使极板在充放电时形成的“铅绒“穿透隔板,造成短路,极板弯曲变形而损坏隔板或活性物质脱落,沉淀在极板下缘造成短路。
2、拧开排气栓,直接观察有无导体落进造成极板之间的短路,如有则取出导电物体。对电池充电,正负极板之间不冒气泡,用温度计丈量,正负极板间温度较高,此时可用薄塑料片插进,慢慢移动,清除极板间的短路物体。不能直接消除时,将发生故障的单格电池极群组取出,清理导电物体和沉淀物,检查隔板有无破损,如有则更换隔板,修复电池。
五、反极现象的检查和处理
1、反极现象反映在两个方面,一是由于装配中单格电池极群组接反,另一方面是电池在使用中,由于某个单格电池容量降低,甚至完全丧失容量,这时这个电池不但不会放电,反而会被反充,使原来的负极变成正极,原来的正极变成负极。这种故障,从丈量电池总电压时即可发现,若有一个电池逆转或称反极时,不仅失往该电池的2伏电压,而且还要增加2伏反向电压,总共要降低电压4伏左右。
2、电池灌好电解液后,首先用电压表进行丈量电池端电压,对额定电压为12伏的电池,如丈量电压为8伏左右,说明1个单格电池反极,如丈量电压为4伏左右,说明两个单格反极,然后分别丈量各单格电池,如极性相反,说明该单格电池反极。这些在装配造成反极的电池,必须进行返工修理。由于正负极板填加剂不一样,即使继续充电将正负极板强行转换,其容量和寿命也会受到很大影响。
假如在使用中发现,故障电池的极性仍然正常,只是开路电压很低,这说明还没有真正反极,如不及时发现和排除,随着时间的增长,将会出现真正的反极。在使用中造成的电池反极,应单独进行过充电处理,待容量达到要求以后,方能与其它电池一起串联使用。
六、容量降低现象的分析
蓄电池在使用中达不到额定容量的要求或容量不足,首先应该考虑电池初充电不足或使用后充电不足,检查电解液密度是否较低,充电后是否有密度上升的现象,假如密度不变,应考虑外接线路不畅通,电阻较大。
电池容量假如逐渐降低,检查极板是否有硫酸盐化现象,电解液是否混进了有害杂质,电池是否有局部短路现象。电池因使用时间较长是否有板栅腐蚀,极板断裂,活性物质过量脱落,并分别采取处理措施。
电池在使用中容量忽然降低,应首先检查电池接线端是否有白色硫酸铅析出物,丈量电压是否有电池反极的现象,电池内部是否有短路,是否有极板或整个极群脱落的现象。
七、电压异常现象的分析
电池充好电以后,每个单格电池的电压应该在2.1伏左右。
电池使用初期电压偏低,应检查充电是否完全,电解液密度是否偏低。
电池在充电时电压偏高,同时有大量气泡出现,而在放电使用时电压很快降低,此时说明极板已经硫酸盐化,应进行处理。
电池在使用中,开路电压明显降低,有时相差很多,应检查电池是否有反极,短路现象,并按照本书前面所讲的方法进行修复处理。
八、冒气异常现象的分析
电池正常使用后,充电初期电池不应该冒气,充进的电流用来完成活性物质的电化学反应,随着电化学反应的完成,电流开始电解水,正极析出氧气,负极析出氢气,最后电流完全用来电解水,在极板间出现大量的均匀气泡,在放电过程中,极板活性物质变成硫酸铅和水同时输出电流。
电池使用后进行充电,在充电末期不冒气或冒气少,说明充电电流太小,或电池充电还未充足。电池在充足电后不冒气,说明电池内部有短路现象,在短路的极板之间不冒气,而未短路的极板之间冒气,这样在单格电池内便出现冒气少或冒气不均匀的现象。
电池在充电中冒气太早并且大量冒气,说明极板有硫酸盐化现象,需要进行反复充电处理。
有时电池在放置或在放电过程中冒气,说明电解液杂质较多,需要更换纯净的电解液。另外还要使电池充电后,放置1小时左右再放电,这样防止充电时残存放电出现,同时使电池内部有个均衡过程。
九、电解液温度高现象的分析
新电池灌酸后电解液温度高是由于负极板氧化,加进硫酸后由于中和反应而放热,这时应待电解液温度下降到30℃左右再进行充电,或者用小电流进行充电。
正常充电时电解液温度高,有时超过45℃,这时应检查是否充电电流太大。应使电流小于0.1C20安培,或改用0.05C20安培充电,假如温度还降不下来,应考虑电池内部极板短路,或极板硫酸盐化,前者电流集中在短路部位发热升温,后者硫酸铅电阻大,电压大部分消耗在电阻上而发热,使电解液温度升高,这就需要对电池故障进行综合判定后处理。
另外在连接条焊接处部分损坏或脱离松劲,也可能引起局部发热,需要重新焊接处理。
十、电解液密度和颜色异常现象的分析
电池在充放电过程中,电解液密度应该在1.070-1.290g/cm3之间变化,充电时电解液密度升高,放电时电解液密度降低。电解液密度太高,轻易造成极板硫酸盐化和加速板栅腐蚀,密度太低,放电容量受到影响。
电池使用后,电解液在没有损失的情况下密度偏低,在充电中电解液密度上升少或不变,说明极板有硫酸盐化现象,需要进行消除硫酸盐化的处理。
电池充好电以后,在搁置期间,密度下降大,说明电池自放电严重,电解液中杂质较多应更换电解液。
电解液颜色、气味不正常,并有浑浊沉淀等现象,可能由于电解液不纯,电池内落进尘土或其他杂质,活性物质脱落严重造成的,这种情况需要换电解液,并冲洗电池内部。同时应留意电池充放电流不应过大,充电时电解液温度不应过高,防止活性物质进一步脱落。
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目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而,不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点,具有更大的效率提升空间,同时,N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此,N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。IOG中国光伏网
根据国际光伏技术路线图(ITRPV2015)预测:随着电池新技术和工艺的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且N型单晶电池市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。本文论述了N型单晶硅及电池组件的优势,并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点,及相关技术发展现状和产业化前景。IOG中国光伏网
1.引言IOG中国光伏网
由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命,使其占据全球光伏市场约90%份额。理论上讲,不管是掺硼的P型硅片还是掺磷的N型硅片都可以用来制备太阳能电池。但由于太阳能电池是基于空间航天器应用发展而来的,较好的抗宇宙射线辐照能力使得P型晶硅电池得到了充分的研究和空间应用。IOG中国光伏网
技术的延续性使目前地面用太阳能电池90%是掺硼P型晶硅电池。而且,研究还发现N型晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低,并且长期使用或存放时,由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外,B2O3的沸点很高,扩散过程中始终处于液态状态,扩散均匀性难以控制,且与磷扩散相比,为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度,导致材料性能变差。所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。IOG中国光伏网
然而,地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题,而且随着技术的发展,原来困扰N型晶硅电池的发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高,P型电池的效率瓶颈已越发明显。N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势,具有更大的效率提升空间和稳定性,成为行业关注和研究的热点。IOG中国光伏网
根据图1和2国际光伏技术路线图ITRPV2015的预测,随着背接触(BC)、异质结(HIT)等电池新结构,及激光、离子注入等新技术的引入,N型单晶电池的效率优势会越来越明显,且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加,到2025年将超过多晶硅,占据光伏市场份额首位,其中80%以上为N型单晶。表1列举了Panasonic,SunPower,Sharp不同电池结构实验室的电池转化效率记录,大面积HBC电池最高效率已达到25.6%,展现了强大的发展潜力。IOG中国光伏网
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图1 ITRPV2015晶硅电池效率预测IOG中国光伏网
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图2 ITRPV2015不同类型硅片市场份额预测IOG中国光伏网
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表1 部分机构N型单晶电池的最高转换效率IOG中国光伏网
本文论述了n型单晶硅及电池组件的优势,并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点,相关技术发展现状及产业化前景。IOG中国光伏网
2.N型单晶硅材料及电池组件的优势IOG中国光伏网
与P型单晶硅相比,n单晶硅的生产制备没有本质的区别,是非常成熟的工艺技术,随着N型单晶硅生产规模的扩大和技术的进步,两者之间的生产成本将会越来越接近。IOG中国光伏网
磷掺杂的N型单晶硅及电池组件较硼掺杂的P型单晶硅及电池组件有许多明显的优势。首先,N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力,相同电阻率的N型CZ硅片的少子寿命比P型硅片的高出1~2个数量级,达到毫秒级。且N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率,因此采用N型晶硅材料的少子空穴的复合将远低于P型的少子电子的复合。IOG中国光伏网
其次,N型硅片对金属污染的容忍度要高于P型硅片。如图3所示,Fe,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片少子寿命的影响均比N型硅片大,由于带正电荷的金属元素具有很强的捕获少子电子的能力,而对于少子空穴的捕获能力比较弱,所以对于少子为电子的P型硅片的影响比少子为空穴的N型硅片影响要大,即在相同金属污染的情况下,N型硅片的少子寿命要明显高于P型硅片。但对于Au却是相反地,但对于现代工艺技术而言,Au污染已不再是问题。IOG中国光伏网
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图3 金属杂质在硅中的复合行为IOG中国光伏网
1973年H.Fischer等发现P型掺硼CZ晶硅电池在光照下会发生明显的电性能衰减。1997年J.Schmidt等证实硼掺杂Cz晶体电池出现光致衰减是由于光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合中心,从而使少子寿命降低,引起电池转换效率下降。2006年A.Herguth等人发现在一定的温度和光照条件下,可以使硼氧复合体形成复合活性较低的中间态,在一定程度上降低由硼氧复合体复合中心导致的光致衰减。而掺磷的N型晶体硅中硼含量极低,本质上消除了硼氧对的影响,所以几乎没有光致衰减效应的存在。IOG中国光伏网
最后,由于N型基体材料高的少子寿命,N型晶硅组件在弱光下表现出比常规P型晶硅组件更优异的发电特性。如图4所示,N型晶硅组件在光强小于600W/m2的弱光情况下,相对发电效率明显高于P型晶硅组件。IOG中国光伏网
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图4 N型和P型晶硅组件相对效率随入射光强度的变化曲线IOG中国光伏网
3.N型单晶电池结构和特点IOG中国光伏网
目前研究的N型单晶高效电池主要有:PERT电池,PERL电池,HIT电池,IBC电池,HBC电池等。PERT电池根据其发射结的位置可分为正结型(p+nn+)和背结型(n+np+),根据其受光面不同分为单面受光型和双面受光型。PERL电池根据其受光面不同,也可分为单面受光型和双面受光型。如图5所示。本文将就几种典型电池的结构和工艺特点进行重点介绍。IOG中国光伏网
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图5 N型单晶硅太阳能电池的分类IOG中国光伏网
3.1 N-PERL电池IOG中国光伏网
PERL电池是发射结钝化背面局部扩散电池(PassivatedEmitterRearLocally-diffused),其结构特点是背面局部接触处重掺杂以降低电池背面局部接触区域的接触电阻和复合速率。背面局部重掺可以通过不同的工艺方式实现,比较常用的是激光掺杂和离子注入等。另外,PERL电池根据其受光面不同,可分为单面受光型和双面受光型。单面受光型电池背面一般为全金属背电极覆盖,而双面受光型一般为丝网印刷正反面对称结构,背面可接收反射光线,结合双玻组件技术可提高3%以上的总发电量。IOG中国光伏网
德国Fraunhofer实验室利用PassDop技术制备的n-PERL小面积电池(4cm2),其转化效率达23.2%(Voc=699mV,Jsc=41.3mA/cm2,FF=80.5%),电池结构如图6所示。基体材料为N型CZ单晶硅,正面通过离子注入形成硼掺杂p+发射结,正面采用ALD工艺沉积Al2O3钝化层钝化发射结降低表面复合速率,再用PECVD沉积SiNx形成减反膜。正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成Ti/Pb/Ag金属电极,背面利用激光掺杂技术形成局部背场,如图7所示。其工艺特点是先在背面PECVD法生长一层磷掺杂的a-SiCx钝化层,再利用激光在熔融钝化层的同时将其中的磷元素掺杂进晶体硅形成局部重掺,最后通过PVD的方法形成Al背面电极。背面磷掺杂的a-SiCx钝化层具有很好的钝化效果,金属接触区域n++局部重掺在降低接触电阻的同时,减少了金属接触区域的复合,提升了电池的开路电压和填充因子。电池Uoc达699mV,FF达80.5%,显示了良好的表面钝化效果和接触特性。IOG中国光伏网
PassDop技术采用成熟的激光掺杂技术在形成背面局部接触窗口的同时形成局部重掺,在不额外增加工艺步骤的情况下实现了PERL电池结构,是一种非常有应用前景的N型高效电池的技术。IOG中国光伏网
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图6 德国FraunhoferPassDop技术PERL电池结构示意图IOG中国光伏网
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图7 PassDop激光掺杂示意图(a)基体硅背面(b)沉积磷掺杂的a-SiCx钝化层(c)激光开槽形成局部重掺(d)沉积Al背电极IOG中国光伏网
日本三菱电机的n-PERL电池则采用双面受光型结构,在156*156mm2大面积单晶硅片上实现转化效率21.3%(Jsc=39.8mA/cm2,Voc=677mV,FF=80.5%),电池结构如图8所示。其正面发射结利用APCVD的方法沉积硼硅玻璃后经热扩散形成P型发散结,再采用ALD沉积Al2O3钝化p+发射结以降低表面复合速率。与Fraunhofer的N型PERL电池背面结构不同的是,除了在电极下局部重掺形成LBSF,以有效地降低背面接触位置的复合速率及接触电阻外,其背面局部接触之间通过扩散形成一层均匀的N型掺杂层,可有效降低由于N型材料相对较高的体电阻率所引起的电阻损耗。背面栅状电极通过精准对位准确覆盖于局部重掺区域形成双面受光电池结构。此电池结构兼具PERT和PERL电池结构的优点,但因引入多步掺杂工艺而额外增加了工艺复杂度及制造成本而未被广泛采用。IOG中国光伏网
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图8 日本三菱电机PERL电池结构示意图IOG中国光伏网
3.2 N-PERT电池IOG中国光伏网
PERT电池是发射结钝化全背场扩散电池(PassivatedEmitterRearTotally-diffused),其结构特点是背表面扩散全覆盖以降低电池的背面接触电阻和复合速率。背面全背场扩散可以通过不同的工艺方式实现,主要包括管式扩散,外延生长法,离子注入法等。IOG中国光伏网
英利公司PANDA电池是采用双面受光型PERT结构的大面积电池(239cm2),并且已实现量产,最高转化效率为20.76%(Voc=650.3mV,Jsc=39.6mA/cm2,FF=80.63%),电池结构如图9所示。其在普通化学制绒的N型Si片上,通过硼磷管式共扩散制备正面P型发射结和N型背面,然后通过PECVD技术在前后表面制备钝化层和减反膜,正反面电极使用常规丝网印刷工艺完成。IOG中国光伏网
PANDA电池双面发电的设计,能够同时接受从正面和背面进入电池的光线从而实现双面发电的功能;正面采用细密栅线的设计,减少了遮光面积,提高了电池的短路电流。与规模化生产的IBC、HIT等N型电池相比,其结构简单、制备成本低、工艺流程短,与现有的P型生产线相兼容,容易实现大规模量产。IOG中国光伏网
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图9 英利公司PANDA电池结构示意图IOG中国光伏网
比利时IMECn-PERT电池是背结型大面积电池(225cm2),转化效率达21.51%(Voc=675.9mV,Jsc=39.35mA/cm2,FF=80.9%),电池结构如图10所示。正面为N型前表面场,背面为通过外延法生长的P型晶硅背发射结,再用ALD法生长Al2O3钝化层钝化背面。外延法生长背面P型发射结技术目前仍然处理实验室研究阶段,其量产可能性还有待验证。IOG中国光伏网
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图10 IMECPERT电池结构示意图IOG中国光伏网
为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化,并去除背面开膜工艺,钝化接触技术近年来成为行业研究热点。德国Fraunhofer开发的Topcon(TunnelOxidePassivatedContact)技术在小面积电池(4cm2)上实现25.1%的转化效率(Voc=718mV,Jsc=42.1mA/cm2,FF=83.2%),电池结构如图11所示。正面采用选择性发射结结构,方块电阻达150ohm/sq,并采用Al2O3/SiNx进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄SiO2,厚度约1~2nm,然后再沉积一层20nm厚的磷掺杂非晶硅层,经过高温退火后形成掺杂多晶硅,二者共同形成钝化接触结构,最后通过PVD的方法形成全背面金属接触。IOG中国光伏网
背面TopCon结构的隧穿效应示意图如图12所示,1~2nm厚的化学SiO2隧穿氧化层具有很好的选择性,允许多子电子穿越同时阻挡少子空穴的复合,由于采用晶化处理,此钝化结构具有很好的热稳定性。Topcon全接触钝化结合全金属电极的创新结构,克服了PERL电池结构由于局部开孔对载流子传输路径的限制,实现了最短的电流传输路径,将传输电阻损失降低为零,根本上消除了电流横向传输引起的损失。IOG中国光伏网
相比较于PERL电池结构,TopCon结构无须背面开孔和对准,也无须额外增加局部掺杂工艺,极大地简化了电池生产工艺,同时掺杂多晶硅层良好地钝化特性以及背面金属全接触结构具有进一步提升转换效率的空间,或可成为下一代产业化N型高效电池的切入点。IOG中国光伏网
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图11 德国FraunhoferTopcon技术PERT电池结构示意图IOG中国光伏网
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图12 TopCon结构的隧穿效应示意图IOG中国光伏网
3.3 N-PERT/PERL电池的研究和产业化现状IOG中国光伏网
N-PERT/PERL电池由于比较大的效率提升潜力,相对比较简单的电池结构,且与现有产业化生产比较好的兼容性,成为近些年行业研究的热点,不同国家不同机构的研究人员开展了大量富有成效的工作。表2汇总了N-PERT/PERL电池的实验室研究水平和产业化现状,其中中国英利公司与ECN合作开发的PANDA双面电池已经实现大规模量产,并充分利用了原有电池线的生产设备;韩国LG公司利用离子注入工艺和丝网印刷实现量产的电池效率达到21.5~22%,是比较高的量产效率。需要特别指出的是德国Fraunhofer利用Topcon技术制备的n-PERT电池转化效率达25.1%,是非常值得产业界期待的技术路线。IOG中国光伏网
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表2 N-PERT/PERL电池研究和产业化现状汇总
3.4 IBC电池
叉指状背接触电池IBC(InterdigitatedBackContact)最早是由Schwartz和Lammertz在1975年提出来的,它将pn结、基底与发射区的接触电极以叉指形状全部做在电池背面,完全消除了前表面栅线的遮光,同时无须考虑前表面减反射结构对电极接触的影响,为前表面陷光结构和实现更低反射率提供了更大的优化空间和潜力。全背面电极由于不用考虑对电池光学方面的影响,设计时可以更加专注于电池电性能的提高。IOG中国光伏网
IBC电池的核心问题使如何在电池背面制备出质量较好、成叉指状间隔排列的p区和n区。传统的技术路线是液态硼扩散和光刻技术,但需要高温工艺,且均匀性较差;为避免多步光刻及扩散工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩膜层,掩膜层上的硼经扩散后进入N型衬底形成p+区,而未印刷掩膜层的区域,经磷扩散后形成n+区。另外,使用离子注入技术[21]可获得均匀性好、结深精确可控的p区和n区,具有很好的发展前景,但成本较高,尚未产业化。IOG中国光伏网
美国SUNPOWER公司IBC电池已实现量产,电池结构如图13所示,实验室最高转换效率达25%(Voc=706mV,Jsc=42.1mA/cm2,FF=82.8%),量产平均效率达23%。其电池前表面通过金字塔结构及减反膜来提高电池的陷光效应。电池的背表面由硼扩散p+区域和磷扩散n+区域呈指状交叉分布,正反表面均覆盖SiO2钝化膜,降到了表面复合并增加了长波响应,从而提高了开路电压。在前表面的钝化层下进行浅磷扩散以形成n+前表面场,提高短波响应。P型和N型金属电极通过丝网印刷方式实现,透过SiO2介质膜上的孔槽与Si衬底实现点接触,减少了金属电极与硅片的接触面积,进一步降低了电极表面的复合,提高了开路电压。但是,IBC电池制程工艺复杂,多次使用掩膜、光刻等半导体技术,成本几乎为常规电池的两倍,因此如何简化工艺,开发低成本的IBC技术并推向产业化应用是业界关注的重点和难点。IOG中国光伏网
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图13 美国SUNPOWER公司IBC电池结构示意图IOG中国光伏网
表3汇总了IBC电池部分机构&公司研究现状,电池效率普遍在22%以上,美国Sunpower公司IBC电池已实现量产,实验室最高效率达25%。天合公司的大面积IBC电池,简化了工艺流程,最高转换效率达22.9%,通过工艺优化预计可达到23.8%。另外,天合与澳大利亚国立大学(ANU)共同研发的小面积电池效率达24.37%。显示了IBC电池在结构方面的优势及强大发展潜力。IOG中国光伏网
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表3 IBC电池研究现状汇总IOG中国光伏网
3.5 HIT电池IOG中国光伏网
HIT电池正面首先沉积很薄的本征非晶硅层作为表面钝化层,然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层,两者共同构成正面空穴传输层。沉积后硅片靠近表面由于能带弯曲,阻挡了电子向正面的移动。相反对空穴而言,由于本征层很薄,空穴可以隧穿后通过高掺杂的p+型非晶硅。在背面同样沉积本征非晶硅薄膜和掺磷的n+非晶硅层,同样由于能带弯曲,阻挡了空穴向背面的移动,而电子可以隧穿,两者共同构成了电子传输层。通过在电池正反两面沉积选择性传输层,使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集然后从电池的一个表面流出,从而实现两者的分离。IOG中国光伏网
1992年三洋公司的Makoto Tanaka和Mikio Taguchi第一次成功制备了HIT(Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer)电池。HIT电池结构简单,其中间衬底为N型晶体硅,通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅,在形成pn结的同时本征a-Si:H具有很好的钝化晶体硅表面缺陷的作用,极大地降低了晶体硅的表面复合,复合速率可降至3cm/s,确保了电池很高的开路电压。电池背面为20nm厚的本征a-Si:H和N型a-Si:H层,在钝化表面的同时可以形成背表面场。由于非晶硅的导电性较差,因此在电池两侧利用磁控溅射技术溅射TCO膜进行横向导电,最后采用丝网印刷技术形成双面电极,使得HIT电池有着对称双面电池结构,一定程度上减少了电池的热应力和机械应力,并允许薄硅片的使用,同时电池背面可以利用地面的反射光发电,提高了发电量。整个制备过程都是在低于200℃下进行的,可避免高温工艺对硅片的损伤。并且,N型HIT电池没有光致衰减效应,且温度稳定好,温度系数仅为-0.25%/°C,即使在户外高温度条件下工作,仍能表现出很好的输出特性。IOG中国光伏网
日本Panasonic公司于2009年收购三洋公司后,继续HIT电池的开发,其电池结构如图14所示,实验室最高转换效率达24.7%(Voc=750mV,Jsc=39.5mA/cm2,FF=83.2%),量产平均效率达22.5%。IOG中国光伏网
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图14 日本Panasonic公司的HIT电池结构示意图IOG中国光伏网
表4汇总了HIT电池部分机构&公司研究现状,电池效率普遍在22%以上,显示了HIT电池在结构方面的优势及发展潜力。需要特别指出的是,美国Silevo利用隧穿氧化钝化层制备大面积HIT电池效率达23.1%,非常具有大规模量产的前景。IOG中国光伏网
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表4 HIT电池研究现状汇总IOG中国光伏网
HIT电池虽然发展迅速,但是仍然存在许多问题,一定程度上限制了其大规模量产。首先其生产过程中的每一步工艺要求都非常严格,比如由于非晶硅薄膜生长对表面质量要求很高,所以对前道晶硅的表面清洁净化技术提出非常高的要求。其次,非晶硅薄膜无法承受较高温度的后续工艺,后道必须使用高成本低温工艺和材料。另外,TCO薄膜成本较高,且产量有限。所以在保证高效的情况下,大规模的量产还需要进一步的研究。到目前为止,只有panasonic公司的HIT电池成功实现了产业化,但其对HIT电池的相关参数以及制备过程无详细报道,而世界各地的科研小组至今没有能达到或重复其实验效果。IOG中国光伏网
大规模量产方面,据报道日本松下(Panasonic)现有HIT产能共1GW,160MW为一条产线。电池量产转换效率约为22.5%,马来西亚工厂HIT组件成本约为0.7美元/瓦。所有硅片电池均为125mm×125mm,主要原因是薄片化(初始硅片厚度150μm,制成电池后厚度为110μm),如果采用156mm×156mm硅片在丝网印刷段容易碎片。最早投入使用的HIT组件至今大约11年,累计衰减仅为2%~3%。IOG中国光伏网
另外,Solarcity收购Silevo,计划在美国建设1GWHIT电池工厂。欧洲联合研究中心最近公布“MW级先进光伏制造工厂计划(X-GWp),核心目标是推动新型高效(22-25%)HIT电池的量产,预计在2017年建设产能1GW的工厂。IOG中国光伏网
3.6 HBC电池IOG中国光伏网
日本Panasonic公司的HBC电池(Hetero-junctionBackContact)是将HIT技术运用于IBC结构的电池。其电池结构如图所示,创造了实验室最高转换效率25.6%的世界纪录(Voc=740mV,Jsc=41.8mA/cm2,FF=82.7%)。HBC电池与HIT电池相比最大的特点是前表面没有栅线电极,极大降低了栅线对太阳光的遮挡损失,确保了电池高的Isc。其正面先生长“一个钝化效果非常好的钝化层”钝化表面,再沉积SiNx减反膜降低反射率。背面先沉积一层本征a-Si:H,再沉积呈指状交叉分布N型a-Si:H层和P型a-Si:H层,非晶硅薄层极好地钝化效果确保了电池的高开路电压,最后用电镀工艺制备背面的正负电极,由于不用考虑对电池光学方面的影响,电极设计时可以更加专注于电池电性能的提高,确保了电池高的填充因子。IOG中国光伏网
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图15 日本Panasonic公司的HBC电池结构示意图IOG中国光伏网
4.总结IOG中国光伏网
本文重点介绍了几种N型高效单晶电池的结构特点和研发现状。与传统的P型晶硅电池相比,N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势,具有更大的效率提升空间和潜力,是高效电池技术路线的必然选择,而且随着电池新技术的引入,N型晶硅电池的效率优势会越来越明显。德国Fraunhofer实验室PassDop技术的N-PERL电池和Topcon技术的N-PERT电池最高效率分别达到23.2%和25.1%,具有很好的发展潜力。日本Panasonic公司的HBC电池创造了电池效率25.6%的世界纪录。而Sunpower公司的IBC电池和Panasonic公司的HIT电池已经实现了大规模量产,平均效率达到22%以上。IOG中国光伏网
不断追求效率提升和成本降低,是光伏行业永恒的主题。随着市场对效率和品质的要求越来越高,单晶N型电池由于自身的天然优势,必然会成为市场的追逐的方向。N型单晶电池将是未来几年高效电池产业化的热点技术,其市场份额在可预见的未来必将会有重大突破,甚至成为主流。