芯片高温老化寿命试验（HTOL）
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面议 /
- 供 应 地：广东省广州市
- 发布公司：广州广电计量检测股份有限公司
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- 品 牌：
- 发布日期：2021/6/11 14:33:07
- 联系人QQ：3050677168
详细说明
芯片高温老化寿命试验（HTOL）
高温老化寿命试验(HTOL)
参考标准：JESD22-A108；
测试条件：
For devices containing NVM,endurance preconditioning must be performed before HTOL per Q100-005.
Grade 0:+150℃Ta for 1000 hours.
Grade 1:+125℃Ta for 1000 hours.
Grade 2:+105℃Ta for 1000 hours.
Grade 3:+85℃Ta for 1000 hours.
Vcc(max)at which dc and ac parametric are guaranteed.Thermal shut-down shall not occur during this test.
TEST before and after HTOL at room,hot,and cold temperature.
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）是原信息产业部电子602计量站，经过50余年的发展，现已成为一家全国化、综合性的国有第三方计量检测机构，专注于为客户提供计量、检测、认证以及技术咨询与培训等专业技术服务，在计量校准、可靠性与环境试验、元器件筛选与失效分析检测、车规元器件认证测试、电磁兼容检测等多个领域的技术能力及业务规模处于国内*水平。
GRGT目前具有以下芯片相关测试能力及技术服务能力：
芯片可靠性验证(RA)：
芯片级预处理(PC)&MSL试验、J-STD-020&JESD22-A113；
高温存储试验(HTSL),JESD22-A103；
温度循环试验(TC),JESD22-A104；
温湿度试验(TH/THB),JESD22-A101；
高加速应力试验(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高温老化寿命试验(HTOL),JESD22-A108；
芯片静电测试(ESD)：
人体放电模式测试(HBM),JS001；
元器件充放电模式测试(CDM),JS002；
闩锁测试(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片IC失效分析(FA)：
光学检查(VI/OM)；
扫描电镜检查(FIB/SEM)
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；Micro-probe;
聚焦离子束微观分析(FIB)；
广州广电计量检测股份有限公司（GRGT）失效分析实验室AEC-Q技术团队，执行过大量的AEC-Q测试案例，积累了丰富的认证试验经验，可为您提供更专业、更可靠的AEC-Q认证试验服务。
GRGT团队技术能力：
集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控
集成电路竞品分析、工艺分析
芯片级失效分析方案turnkey
芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计
静电防护失效整改技术建议
集成电路可靠性验证
材料分析技术支持与方案制定
半导体材料分析手法
芯片测试地点：广电计量-广州总部试验室、广电计量-上海浦东试验室。
芯片高温老化寿命试验：
GRGT张经理186-2090+8348；
zhanghp grgtest.com
GRGT是原信息产业部电子602计量站，通过国家实验室（CNAS）认可，并获得中国计量认证（CMA）和食品检验机构资质认定（CMAF），是中国CB实验室，建立企业计量最高标准一百多项，通过CNAS认可项目1075项。同时，获得众多国际著名机构和组织的能力认可和授权，还是是国家火炬计划重点高新技术企业、国家中小企业公共服务示范平台、中国计量测试服务最具影响力十大领军企业、全国计量检测技术服务业百强.
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联系人：张海鹏(电子商务主管)
手机：18620908348
邮箱：zhanghp@grgtest.com
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