CMP化学机械抛光是目前对集成电路器件表面进行平滑处理，并使之高度平整的唯一技术。为使半导体晶圆和器件达到全局平整落差达到100A-1000A（相当于10-100nm）的水平，CMP工艺步骤，抛光液种类以及用量也随之大幅增加，由此也成就了一个新兴的超巨市场。
CMP 全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光。CMP技术是晶圆制造的必须流程之一，对高精度、高性能晶圆制造至关重要。在CMP 材料中，抛光液和抛光垫价值占比。化学机械拋光（CMP）技术应运而生。它结合了化学和机械的双重作用，能够迅速去除硅晶片表面的不规则性，同时将材料损失最小化，这对于高价值的、昂贵的单晶硅尤为重要。CMP工艺涉及抛光浆料、抛光垫与硅晶片表面之间的复杂相互作用，其基本原理是通过化学反应形成易于去除的界面层，再利用抛光垫的机械压力和摩擦作用，从而实现硅晶片的整体平整度。因此，CMP被视为唯一能够实现硅晶片全局平整度的有效方法，在先进芯片制造中发挥着不可替代的作用。
气相二氧化硅其自身存在的悬浮稳定性差和易聚集等问题，可能影响抛光效率，并在晶圆表面留下划痕，降低产品质量。为解决此些问题，利用丙烯酸酯类物质对气相二氧化硅抛光粉进行表面改性的方法。意在通过化学吸附作用，丙烯酸酯类物质能够显著提升在气相二氧化硅溶液中(水性或油性介质的分散稳定性，减少聚集现象，从而提高在CMP过程中的稳定性和均一性。
IKN在线粉液混合机可以地将不同种类的粉末和颗粒不结块地进行润湿和分散在液体中。
EBI2000的优点:
1.在一台设备上实行三个工艺步骤:混合/均质/分散；
2.完全连续的运行模式，也可以循环方式使用；
3.分散头有多种不同的选择可以选择加工精度各异的分散头,满足不同的工艺要求,可安装三级分散头达到目标粒径；
4.适用于高粘度物料；
5.封闭的系统，防止灰尘或溶剂的挥发；
6.润湿粉体，防止结团结快的形成；
7.大大缩短生产时间；
8.紧凑的设计；
9.便于从PLC实验室机扩产到PLC生产设备；
10.所有接触液体的部件为316L或316Ti不锈钢；
11.具有CIP/SIP功能；
12.符合3A卫生标准认证。
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型号 |
分散流量 |
泵流量 |
马达功率 |
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EBI2000/4 |
2000L/H |
6000Kg/h |
4kw |
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EBI2000/5 |
5000L/H |
15000Kg/h |
11kw |
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EBI2000/10 |
15000L/H |
40000Kg/h |
22kw |
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EBI2000/20 |
20000L/H |
60000Kg/h |
45kw |
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EBI2000/30 |
40000L/H |
130000Kg/h |
75kw |
*流量取决于设置的间隙和被处理物料的特性，同时流量可以被调节到#大允许量的10%。
1.表中上限处理量是指介质为“水”的测定数据。
2.处理量取决于物料的粘度，稠度和#终产品的要求。
3.如高温，高压，易燃易爆，腐蚀性等工况，bi须提供准确的参数，以便选型和定制。
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