供应小功率导电银胶爱博斯迪科84-1LMISR4，单组分
Ablebond?  84-1LMISR4  导电粘晶胶非常适用在高产率、自动粘晶设备上。Ablebond?  84-1LMISR4导电粘晶胶的流变特性使得它可以进行最小剂量的点胶，以及最小的粘晶停留时间，并且没有拖尾或拉丝问题。因此，Ablebond?  84-1LMISR4独特的粘接性能使得它成为半导体工业中最为常用的粘晶材料之一。
特性
?  优良的点胶性能，具有最小的拖尾或拉丝现象
?  箱式烘箱中固化
UNCURED  PROPERTIES
固化前的性质
TEST  DESCRJPTION
测试方法描述
TEST  METHOD
测试方法
Filler  Type/填料类型
Silver
Viscosity/粘度  @
8,000  cps
Brookfield  CP51  @  5rpm
ATM-0018
Thixotropic  Index/触变指数
5.6
Visc  @  0.5/Visc  @  5rpm
ATM-0089
Work  Life/工作时间  @25℃
18  hours
Physical  work  life  by  %  filler
ATM-0067
Storage  Life  @-40℃
1  year
ATM-0068
CURE  PROCESS  DATA
固化条件
TEST  DESCRJPTION
测试方法描述
TEST  METHOD
测试方法
Recommended  Cure  Condition/推荐固化条件
1  hour  @  175℃
Alternate  Cure  Condtion  (1)/可选固化条件
3-5℃/min  ramp  to  175℃+1  hour  @  175℃
1The  ramp  cure  was  oberserved  to  yield  reduced  voiding  and  increased  strength.
渐进升温可以减少气泡产生，以及增加强度。
Weight  loss  on  cure  /固化后的热失重
5.3%
10×10  mm  Si  die  on  glass  slide
ATM-0031
PHYSIOCHEMICAL  PROPERTIES-PSOT  CURE
固化后的物理化学性质
TEST  DESCRJPTION
测试方法描述
TEST  METHOD
测试方法
Ionics/离子  Chloride
Sodium
Potassium
5  ppm
3  ppm
1ppm
Teflon  flask  5  gm  sample/20-40  mesh  50  gm  DI  water  100℃  for  24  hours
ATM-0007
Water  Extract  Conductivity
导电率
13  μmhos/cm
ATM-0044
pH/酸碱度
6
ATM-0002
Weight  Loss/热失重  @300℃
0.35%
Thermogravimetric  Analysis
热解重量分析法
ATM-0073
ABLEBOND  84-1LMISR4
09/03  -  2  -
PHYSIOCHEMICAL  PROPERTIES-PSOT  CURE
固化后的物理化学性质
TEST  DESCRJPTION
测试方法描述
TEST  METHOD
测试方法
Glass  Transition  Temperature
玻璃化转变温度
120℃
TMA  Penetration  mode/TMA  传透法
ATM-0058
Coefficient  of  Thermal  Expansion/热膨胀系数
Below  Tg
Above  Tg
40ppm/℃
150ppm/℃
TMA  expansion  mode
ATM-0055
4400  MPa  (640  Kpsi)
3900  MPa  (570  Kpsi)
2000  Mpa  (290  Kpsi)
Dynamic  Tensile  Modulus
动态拉伸模量  @-65℃
@25℃
@150℃
@250℃
300  Mpa  (44  Kpsi)
Dynamic  Mechanical  Thermal  Analysis  using  <0.5  mm  thick  sample
动态力学分析法，使用厚度小于0.5mm  的样品。
ATM-0112
Moisture  Absorption
吸湿率  @  Saturation
0.6%
Dynamic  Vapor  Sorption  after  85℃/85%RH  exposure
ATM-0093
MECHANICAL  PROPERTIES-POST  CURE
固化后的机械性能
TEST  DESCRJPTION
测试方法描述
TEST  METHOD
测试方法
Die  Shear  Strength/芯片的剪切强度  @25℃  19kgf/die
2×2  mm  (80×80  mil)  Si  die
ATM-005218
Die  Shear  Strength  vs.  Temperature
芯片的剪切强度  与  温度的关系
@  25℃  @200℃  @250℃
21  kg/die  2.9  kg/die  1.7  kg/die
11  kg/die  2.6  kg/die  1.4  kg/die
27  kg/die  2.4  kg/die  2.0  kg/die
3×3  mm  (120×120  mil)  Si  die
Substrate
Ag/Cu  leadframe
Bare  Cu  leadframe
Pd/Ni/Cu  leadframe
ATM-0052
Die  Shear  Strength  after  85℃/85%  RH  Exposure  for  168  hours/经过1小时85℃/85%条件的湿气试验后的剪切移除强度
@  25℃  @200℃
12  kg/die  1.8  kg/die
10  kg/die  2.5  kg/die
27  kg/die  1.8  kg/die
3×3  mm  (120×120  mil)  Si  die
Substrate
Ag/Cu  leadframe
Bare  Cu  leadframe
Pd/Ni/Cu  leadframe
ATM-0052
Chip  Warpage/芯片弯曲  @  25℃  vs.  Chip  size
Chip  Size
Warpage
7.6×7.6  mm  (300×300  mil)
19μm
10.2×10.2  mm  (400×400  mil)
32μm
12.7×12.7  mm  (500×500  mil)
51μm
0.38  mm  (15  mil)  thick  Si  die  on  0.2  mm  thick  Ag/Cu  leadframe
ATM-0059
Chip  Warpage  vs.  Post  Cure  Thermal  Process2
芯片弯曲度与后固化热处理的关系
Post  Cure  /后固化
Bake/后烘
@175℃)
+  Wirebond/打线
(1  min.@250℃)
+Post  Mold
(4  hrs.)
7.6×7.6×0.38  mm  Si  die  (300×300×15  mil)  on  0.2  mm  (8  mil)  thick  LF
Substrate
20  μm
29  μm
28μm
Ag/Cu  leadframe
22  μm
30  μm
28  μm
Bare  Cu  leadframe