用于 S 频段的 GaN HEMT CMPA2735075F
用于  S  频段应用的  GaN  HEMT  产品CMPA2735075F/CGH31240F/CGH35240F


深圳立维创展优势代理Cree  C频段晶体管，依托加拿大多伦多总公司的地势便利，立维创展跨国经营，主要为国内国内军工单位、科研院校、通信设备制造商提供射频微波/毫米波产品、军用连接器。

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CMPA2735075F  功率放大器
75  W,  2.7  -  3.5  GHz,  GaN  MMIC,  Power  Amplifier

Cree’s  CMPA2735075F  is  a  gallium  nitride  (GaN)  High  Electron  Mobility
Transistor  (HEMT)  based  monolithic  microwave  integrated  circuit
(MMIC).  GaN  has  superior  properties  compared  to  silicon  or  gallium
arsenide,  including  higher  breakdown  voltage,  higher  saturated  electron
drift  velocity  and  higher  thermal  conductivity.  GaN  HEMTs  also  offer
greater  power  density  and  wider  bandwidths  compared  to  Si  and  GaAs
transistors.  This  MMIC  contains  a  two-stage  reactively  matched  amplifier
design  approach  enabling  very  wide  bandwidths  to  be  achieved.  This
MMIC  enables  extremely  wide  bandwidths  to  be  achieved  in  a  small
footprint  screw-down  package.
主要参数：
?  27  dB  Small  Signal  Gain
?  80  W  Typical  PSAT
?  Operation  up  to  28  V
?  High  Breakdown  Voltage
?  High  Temperature  Operation
?  0.5”  x  0.5”  Total  Product  Size

产品应用：
Civil  and  Military  Pulsed  Radar
Amplifiers

Datasheet  http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/Data%20Sheets/CMPA2735075F.pdf  

CGH31240F
240  W,  2700-3100  MHz,  50-ohm  Input/Output  Matched,  GaN  HEMT  for
S-Band  Radar  Systems
Datasheet  http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/Data%20Sheets/CGH31240F.pdf  

CGH35240F
240  W,  3100-3500  MHz,  50-ohm  Input/Output  Matched,  GaN  HEMT  for
S-Band  Radar  Systems
Datasheet  http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/RF/Data%20Sheets/CGH35240F.pdf