供应用于 C 频段应用的 GaN HEMT 产品CGH550
用于 C 频段应用的 GaN HEMT 产品CGH55015F2/P2、CGH55030F2/P2
深圳立维创展优势代理Cree C频段晶体管，依托加拿大多伦多总公司的地势便利，立维创展跨国经营，主要为国内科研院校、通信设备制造商提供射频微波/毫米波产品、精密连接器。
我们秉承“领先源于服务”的理念，承诺所有出售产品均由原厂及OEM工厂直接提供，可提供3C认证。北美原厂货源，优势价格，最短货期。欢迎来电垂询：0755-83035177.
CGH55015F2/P2
10 W, C-band, Unmatched, GaN HEMT
CGH55015F2/CGH55015P2是C频段应用的GaN HEMT 产品代表。最高适用频段可达到6GHz。封装形式多样，是高可靠性、高增益、高宽带应用的首选功放器晶体管。
Cree’s CGH55015F2/CGH55015P2 is a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically for high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities, which makes the CGH55015F2/ CGH55015P2 ideal for C-band pulsed or CW saturated amplifiers. The transistor is available in both screw-down, flange and solder-down, pill packages. Based on appropriate external match adjustment, the CGH55015F2/CGH55015P2 is suitable for applications up to 6 GHz.
主要参数：
?4.5 to 6.0 GHz Operation 工作频段4.5GHz-6GHz
?12 dB Small Signal Gain at 5.65 GHz 增益12dB
?13 W typical PSAT 功率13W
?60 % Efficiency at PSAT 仿真率60%
?28 V Operation 工作电压28V
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