IGCT由金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）与双向可控硅（BCT）的结合体组成。其中，BCT用于承受高压和大电流，而MOSFET则负责触发和控制BCT的导通。
IGCT具有低开关损耗和较好的短路能力，适用于大功率应用，如高压直流输电，电机驱动等。其工作原理可以简单概括为：在无控状态下，IGCT处于阻断模式；当施加控制信号时，MOSFET打开并使BCT导通，从而形成一个低阻抗的通路。
IGCT的优点：
IGCT的缺点：
ABB大功率IGCT模块：
3BHL000391P0101或5SHX1445H0001、
3BHL000392P0101或5SHX1060H0001
ABB张力控制器
PFSA297 --------- 3BSE085993R1
PFSA240-A -----------3BSE0930281R1
PFSA145 ----------3BSE008843R1
PFSA185 -------- 3BSE074212R1
PFXC141--------3BSE029997R1
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