半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的Z佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统，普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
系统特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；
系统指标
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项目 |
参数 |
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集电极-发射极 |
Z大电压. |
3500V |
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Z大电流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大电压上升沿 |
典型值5ms |
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大电流上升沿 |
典型值15us |
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大电流脉宽 |
50us~500us |
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漏电流测试量程 |
1nA~100mA |
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栅极-发射极 |
Z大电压 |
300V |
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Z大电流 |
1A(直流)/10A(脉冲) |
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精度 |
0.05% |
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Z小电压分辨率 |
30uV |
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Z小电流分辨率 |
10pA |
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电容测试 |
典型精度 |
0.5% |
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频率范围 |
10Hz~1MHz |
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电容值范围 |
0.01pF~9.9999F |
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温控 |
范围 |
25℃~150℃ |
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精度 |
±1℃ |
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测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。
选择普赛斯仪表的理由
武汉普赛斯是国内最早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；
普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量pA级漏电流，1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。详询一八一四零六六三四七六；
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