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光伏组件PID测试数字源表 

  • 价 格: 面议 /
  • 供 应 地:
  • 发布公司:武汉普赛斯仪表有限公司
  • 产品型号:S100
  • 品 牌:普赛斯仪表
  • 发布日期:2021/12/8 9:57:32
  • 联系人QQ:1993323884 点击这里给我发消息

详细说明

产品说明Explain

公司简介Content


一、什么是PID?

PID是Potential Induced Degradation的缩写,指的是组件电势诱导衰减(也叫电位诱发衰减)。PID是电池组件长期在高电压作用下,使玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使得电池表面的钝化效果变差,易使产生的光生载流子复合,从而导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时,会引起一块组件功率衰减50%以上,从而影响整个组串的功率输出。高温、高湿、高盐碱的沿海地区Z易发生PID现象。

二、PID检测方式

PID测试有两种加速老化的方式:

1)在特定的温度、湿度下,在组件玻璃表面覆盖铝箔、铜箔或者湿布,在组件的输出端和表面覆盖物之间施加电压一定的时间。

2)在85%湿度85℃或者是60℃85℃的环境下将-1000V直流电施加在组件输出端和铝框上48~96小时。

在两种方式测试前,都对组件进行功率、湿漏电测试并EL成像。老化结束后,再次进行功率、湿漏电测试并EL成像。将测试前后的结果进行比较,从而得出PID在设定条件下的发生情况。第一种方式比较多的用于测试机构,而后一种方式比较多的被光伏组件厂采用。当PID现象发生时,从EL成像可以看到部分电池片发黑。

判定依据于:

1)Z大功率与初始值比,衰减不超过5%。

2)没有目测不合格现象,按IEC61215章节7,IEC61730-2章节10.1.3。

3)湿漏电流测试,符合IEC61215章节10.15。

4)试验结束后组件功能完整。

三、PID形成原因

3.1外部原因

PID的真正原因到目前为止没有明确的定论,但Z容易在潮湿的环境下发生,并且活跃程度与潮湿程度相关;同时组件表面被导电性、酸性、碱性以及带有离子的物体的污染程度,也与PID现象的发生有关。据推测,来自于钠钙玻璃的金属离子是形成上述具有PID效应的漏电流的主要载流介质。

3.2内部原因

3.2.1系统方面

逆变器接地方式和组件在阵列中的位置,决定了电池片和组件受到正偏压或者负偏压。电站实际运行情况和研究结果表明:如果整列中间一块组件和逆变器负极输出端之间的所有组件处于负偏压下,则越靠近输出端组件的PID现象越明显。而在中间一块组件和逆变器正极输出端中间的所有组件处于正偏压下,PID现象不明显。

3.2.2组件方面

环境条件,如湿度等的影响导致了漏电流的产生。

3.2.3电池方面

电池片由于参杂不均匀导致方块电阻不均匀;优化电池效率而采用的增加方块电阻会使电池片更容易衰减,导致容易发生PID效应。

四、PID测试仪器组成

测试所需主要仪器为:

步入式环境测试箱;

绝缘耐压测试仪;

接地连续性测试仪;

PID测试直流电压源数字源表

HALM太阳模拟器(AAA+级);

EL测试仪等。

五、PID测试的标准

PID 测试标准引自 IEC 62804 (Draft)

根据IEC61730-2 MST 01进行外观检测;

根据IEC61215第二版进行Z大功率测试

根据IEC61215第二版条目10.15进行湿漏电流测试;

如果组件有裸露的导电部位,则要根据IEC61730-2 MST13进行接地连续性测试。

PID测试连线图以及测试电源要求

6.1PID测试连线图

 

6.2测试所需电源需求

电源电压:-1500V~0V/ 0~+1500V

电源时漂:≤0.3%/h

电源温漂:≤0.5‰/℃

电源纹波:≤0.5%

电流范围:1~1000 uA /-1000 uA~-1

试验时间:0~168h

 

、光伏组件市场概述

7.1行业政策

2020年12月18日,中央经济工作中提出了2021年的八条重点任务,其中指出:“做好碳达峰、碳中和工作。我国二氧化碳排放力争2030年前达到峰值,力争2060年前实现碳中和”。多个省市、部委针对此任务,已陆续密集发声,在大力发展新能源等方面作出了部署。截止2021年1月4日,提出在2025年达峰的省市已达42个。

1月5日生态环保部发布了《碳排放权交易管理办法(试行)》,并计划于2月1日起施行。近年,我国的光伏市场发展迅猛,从上游的制造的产能扩张以及价格的不断下降;国内大部分省份下游电站的成本电价降至脱硫标杆电价以下;光伏的应用场景不断拓宽,不断贴近生活。

2020年光伏企业铆足马力,相继推出重磅扩产计划,希望进一步提升市场占有率。据北极星太阳能光伏网不完全统计,2020年硅料端扩产26.9万吨、硅片端扩产313.6GW、电池端扩产317.82GW、组件端扩产307.07GW。

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武汉普赛斯仪表有限公司

联系人:陶女士(市场专员)

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