光范围（nm) 折射率（N)
550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量
320-7000 2.05
⒉0AT2000 约2500 电子枪，
增透，加硬膜
眼镜膜保护膜 一般
制程特性：白色颗粒，柱状，或块状，粉状材料使用钨舟或钼舟.颗粒状，粉状材料排杂气量较多，柱状或块状较少.
真空度小于2*10-5Torr条件下蒸发可得到较稳定的折射率，真空度大于5*10-5Torr时蒸发，薄膜折射率逐渐变小。
蒸镀时加入一定压力的氧气可以改善其材料之不均匀性。
不用时挖坑埋藏薄膜在收藏期间，要严防暴晒、烟熏、火烤，否则，其使用寿命会大大缩短。棚膜最好的储存方法是挖坑埋藏，生产结束后，拆下的薄膜要先洗干净晾干，卷好后用旧薄膜包裹起来，选择土壤干湿度适中的地方挖一个坑，然后把包裹好的薄膜放进坑内埋藏。注意，薄膜上层离地面的距离在 30厘米以上。此法可避免农膜在空气中存放老化发脆，而缩短使用寿命。
2在可见光波段内有很高的透过率，但在380NM时有截止吸收，这意味着镀膜条件不理想时1/2光学厚度的存在吸收.H2优点在于它能从溶解状态下被蒸发，因此有良好的同次性和均匀的膜厚.
⒋ H4在可见光波段内有很高的透过率，象H1 一样在360NM左右有吸收，它也能从溶解状态下被子蒸发，具有良好的同次性.
⒌ M1在从近红外到近紫外的波段内有很好的透过率，300NM时有吸收，它也能从溶解的状态下被子蒸发，具有良好的同次性和物质，适合于是高折射率的基底上镀增透膜.PE膜是我们重点要关注的对象：吹膜时可能有膜卷漏掉电晕处理的；膜厚度过大或不均匀引起电晕效果不够；吹膜是加入太多的爽滑剂或高爽滑粒料比例过大引起电晕效果大幅度下降。12~15umPET膜出现两面的电晕效果相差不大时，容易引发印刷膜卷背粘故障。
名称：锗（Ge)
稀有金属，无毒无放射性，主要用于半导体工业，塑料工业，红外光学器件，航天工业，光纤通讯等.透光范围2000NM---14000NM,n=4甚至更大，937（℃）时熔化并且在电子枪中形成一种液体，然后在1400（℃）轻易蒸发.用电子枪蒸发时它的密度比整体堆积密度低，而用离子助镀或者镭射蒸镀可以得到接近于松散密度.在锗基板上与THF4制备几十层的8000---12000NM带通滤光片，如果容室温度太高吸收将有重大变化，在240--280（℃）范围内，在从非晶体到晶体转变的过程中GE有一个临界点.
锗化锌
898995850
