过充电压情况
在正常条件下的充电过程中，当电池电压高于过充检测电压(VCU)，并持续时间达到过充电压检测延迟时间(tCU)
或更长，DW03D将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。
以下两种情况下，过充电压情况将被释放：
1、当电池电压低于过充解除电压 (VCL), DW03D控制充电的FET导通，回到正常工作模式下。
2、当连接一个负载并且开始放电, DW03D控制充电的FET导通回到正常工作模式下。解除机制如下： 接上负载
后放电电流立刻流过充电FET内部寄生二极管开始放电，BATT-电压升到0.7V， DW03D 检测到这个电压后，当电
池电压等于或低于过充检测电压(VCU), DW03D 立刻恢复到正常工作模式，另外，在接上负载放电时,如果BATT-
电压等于或低于过流1检测电压， 芯片也不会恢复到正常状态。
注：当电池被充电到超过过充检测电压(VCU) 并且电池电压没有降到过充检测电压 (VCU)以下，即使 加上一
个可以导致过流的重载, 过流1和过流2都不会工作，除非电池电压跌到过充检测电压(VCU)以下。 但是实际上电池
是有内阻的，当电池接上一个重载，电池的电压会立即跌落，这时过流1和过流2就会动作。短路保护与电池电压无
关。
过放电压情况
在正常放电过程中，当电池电压降到过放检测电压(VDL)以下的时候， 并持续时间达到过放电压检测延时间
(tDL) 或更长， DW03D将切断电池和负载的连接，停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当控制放电的FET
被关断， BATT- 通过内部BATT-与VDD之间的RBATT-D 电阻被拉到高电平。当 BATT- 电压高于负载短路检测
电压, 芯片的耗电流会降到休眠电流 (IPDN)。这种情况被称为休眠情况。在过放和休眠情况 中BATT- 和VDD之
间由 RBATT-D电阻连接。当一个充电器连接上并且BATT-和VDD之间电势差变到1.3 V(典型值) 或更高 (负载短路
检测电压)时休眠状态解除。这时放电FET仍然断开。当电池电压变成过放检测电压(VDL) 或更高 (见备注)，
DW03D 使 FET 导通回到正常工作模式。.
备注：当过放情况下的电池接上充电器，如果 BATT- 端电压不低于充电器检测电压 (VCHA), 并且电池电压达
到过放解除电压或更高(VDR)过放情况解除(控制放电的FET导通)。
过放电流情况
正常工作模式下，当放电电流等于或高于设定的值（BATT-电压等于或高于过电流检测电压）并且时间持续超
过过电流检测延时时间时， DW03D关断放电FET停止放电。这个称为过放电流情况（包括过放电流1，过放电流2
和负载短路电流）。过电流情况下BATT-和GND 间内部连接了 RBATT-S 电阻 。当一个负载连接上， BATT-电
压等于VDD流过负载电阻后的电压。
根据切断负载等行为，B+和B-之间的阻抗增大至大于等于能够自动恢复到正常状态的阻抗，过放电流状态将被
解除，回到正常状态。由于BATT-和GND之间连接RBATT-S电阻，当负载断开， BATT- 电压被拉到地电位。当
侦测到 BATT-电位低于过流1检测电压(VIOV1)，芯片回到正常状态。
898995850
